7. Teste Multijonctiune
-
Upload
andrei-vieriu -
Category
Documents
-
view
223 -
download
2
description
Transcript of 7. Teste Multijonctiune
-
127
Dispozitive semiconductoare multijonciune
1. 1p
Simbolul unui tiristor este prezentat n figura notat:
a)
C
G
A
b) T2
G
T1
c)
C
A
d) T2
T1
2. 1p
Simbolul unui triac este prezentat n figura notat:
a)
C
G
A
b) T2
G
T1
c)
C
A
d) T2
T1
3. 1p
Simbolul unei diode Shockley este prezentat n figura notat:
a)
C
G
A
b) T2
G
T1
c)
C
A
d) T2
T1
-
Elemente de electronic analogic - teste
128
4. 1p
Simbolul unui diac este prezentat n figura notat:
a)
C
G
A
b) T2
G
T1
c)
C
A
d) T2
T1
5. 3p
Structura unui tiristor este prezentat n figura notat:
a)
b)
c)
d)
G
G
canal
p
p n
S
n
6. 3p
Structura unui triac este prezentat n figura notat:
a)
b)
c)
d)
G
G
canal
p
p n
S
n
7. 3p
Structura unei diode Shockley este prezentat n figura notat:
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
129
a)
b)
c)
d)
G
G
canal
p
p n
S
n
8. 2p
n funcionare normal, tiristorul prezint:
a) dou stri, ambele instabile; b) dou stri, una stabil, una instabil; c) trei stri, toate trei stabile; d) dou stri, ambele stabile.
9. 2p
n funcionare normal, tiristorul prezint dou stri:
a) stare d e co n du cie, stare n care tiristoru l se co mport ca u n scurtcircuit, i starea de blocare stare n care tiristorul se comport ca un circuit ntrerupt;
b) stare d e co n du cie, stare n care tiristoru l se co mport ca u n scurtcircuit, i starea instabil stare n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
c) starea de blocare stare n care tiristorul se comport ca un circuit ntrerupt, i starea instabil stare n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
d) stare d e co n du cie, stare n care tiristoru l se co mport ca u n amplificator, i starea d e b locare stare n care tiristoru l se comport ca un circuit ntrerupt;
10. 2p
Procesul de amorsare al tiristorului reprezint:
a) tranziia de la starea de blocare la starea n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
b) tranziia de la starea de conducie la starea n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
c) tranziia de la starea de conducie la starea de blocare; d) tranziia de la starea de blocare la starea de conducie.
11 Procesul de amorsare al tiristorului reprezint tranziia de la starea de
-
Elemente de electronic analogic - teste
130
2p blocare la starea de conducie. Pentru a se realiza aceast tranzitie este necesar:
a) s fie ndeplinite una dintre urmtoarele condiii: polarizare direct a tiristorului sau comand pe poart;
b) s fie ndeplinite simultan dou condiii: polarizare direct a tiristorului i comand pe poart;
c) i suficient ca tiristorul s fie polarizat direct; d) i suficient s existe comand pe poart.
12. 2p
Tiristorul poate fi conceput avnd n structura sa dou tranzistoare conectate ca n figura:
a)
A
G
C
T1
T2
b)
C
G
A
T1
T2
c)
C
G
A
T1
T2
d)
C
G
A
T1
T
13. 2p
Tiristorul poate fi conceput avnd n structura sa dou tranzistoare conectate ca n figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicat prin faptul c modul de conectare al celor dou tranzistoare permite declanarea unui proces regenerativ n structur prezentat n figura:
C
G
A
T1
T2
Figura 7.1
a) ( )
=12211 TTTTT BCBCBG
iiiiii
b) ( )
=12212 TTTTT BCBCBG
iiiiii
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
131
c) ( )
=11221 TTTTT BCBCBG
iiiiii
d) ( )
=12111 TTTTT BCBCBG
iiiiii
14. 3p
Tiristorul poate fi conceput avnd n structura sa dou tranzistoare conectate ca n figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicat prin faptul c modul de conectare al celor dou tranzistoare permite declanarea unui proces regenerativ n structur prezentat n figura7.2. Mecanismul este :
( )
=12211 TTTTT BCBCBG
iiiiii
a) pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin blocarea celor dou tranzistoare;
b) pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin blocarea tranzistorului T1 i saturarea tranzistorului T2;
c) pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin saturarea celor dou tranzistoare;
d) pornit prin injectarea unui curent pe gril i ia sfrit prin blocarea tranzistorului T1 i saturarea tranzistorului T2.
15. 3p
n practic exist posibilitatea apariiei aa numitelor amorsri parazite, amorsri ce trebuie evitate. Exist n principal doi factori care pot da natere acestor amorsri:
a) dispersia parametrilor sau efectul
dtdiA ;
b) dispersia parametrilor sau efectul dt
dvA ;
c) temperatura sau efectul dtdiA ;
d) temperatura sau efectul dt
dvA ;
16. 2p
Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezint:
-
Elemente de electronic analogic - teste
132
a) tranziia de la starea de conducie la starea n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
b) tranziia de la starea de conducie la starea n care tiristorul se comport ca o rezisten negativ;
c) tranziia de la starea de conducie la starea de blocare; d) tranziia de la starea de blocare la starea de conducie.
17. 2p
Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezint tranziia de la starea de conducie la starea de blocare. Pentru a se realiza aceast tranzitie este necesar:
a) HG ii < b) HG ii > c) HA ii < d) HA ii >
unde: iH poart numele de curent de meninere iA curent anodic iG curent de gril
18. 2p
Blocarea tiristorului clasic se realizeaz practic prin dou metode. Una dintre ele este:
a) polarizarea invers a tiristorului; b) injectarea unui curent pe poart; c) polarizarea invers a jonciunii poart catod; d) comand pe poart i polarizare invers a tiristorului.
19. 2p
Blocarea tiristorului clasic se realizeaz practic prin dou metode. Una dintre ele este:
a) proiectarea unui circuit special de stingere; b) injectarea unui curent pe poart; c) polarizarea invers a jonciunii poart catod; d) comand pe poart i polarizare invers a tiristorului.
20. 3p
n cazul unui tiristor clasic:
a) grila comand att amorsarea ct i dezamorsarea; b) dup amorsare grila i pierde rolul; c) uneori grila comand amorsarea alteori dezamorsarea; d) rolul grilei este dictat de circuitul exterior.
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
133
21. 2p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura notat:
a)
vA
iA
VH
IH H VBR
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD VBR
d.)
vT1T2
iT1T2
22. 2p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura notat:
a)
vA
iA
VH
IH H VBR
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD VBR
d.)
vT1T2
iT1T2
23. 2p
Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura notat:
-
Elemente de electronic analogic - teste
134
a)
vA
iA
VH
IH H VBR
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD VBR
d.)
vT1T2
iT1T2
24. 2p
Caracteristica static a unui triac este prezentat n figura notat:
a)
vA
iA
VH
IH H VBR
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD VBR
d.)
vT1T2
iT1T2
25. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 1 este notat:
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
135
vA
iA
VH
IH H
VBD1VBD3 VBD2VBR
1
2345
iG0=0iG1>iG0
Figura 7.2
a) regiune de strpungere; regiune nefolosit n funcionare normal ntruct tiristorul se distruge dac punctul de funcionare ajunge n aceast regiune.
b) regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
c) regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
d) regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
25. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 2 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
c) regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
d) regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
26. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 3 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare direct constituie una dintre cele dou stri
-
Elemente de electronic analogic - teste
136
stabile ale tiristorului b) regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de
blocare la polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
c) regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
d) regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
27. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 4 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
c) regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
d) regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
28. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.2. Cu 5 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare direct constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare direct; ; mpreun cu regiunea de blocare la polarizare inves constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
c) regiune de rezisten negativ; stare instabil; neutilizat n mod normal.
d) regiune de conducie; constituie una dintre cele dou stri stabile ale tiristorului
29. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 1 este notat:
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
137
vT1T2
iT1T2
1
2 3
4
5 6
iG1 iG2
iG3 iG4
Figura 7.3
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
30. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 2 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
31. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 3 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
32. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 4 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
33. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 5 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare;
-
Elemente de electronic analogic - teste
138
c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
34. 1p
Caracteristica static a unui tiristor este prezentat n figura 7.3. Cu 6 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
35. 1p
Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 1 este notat:
vA
iA
VH
IH H
VBDVBR
1
2345
Figura 7.4
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare la polarizare invers; c) regiune de blocare la polarizare direct; d) regiune de rezisten negativ.
36. 1p
Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 2 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; b) regiune de blocare la polarizare direct; c) regiune de rezisten negativ. d) regiune de conducie.
37. 1p
Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 3 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; b) regiune de blocare la polarizare direct; c) regiune de rezisten negativ. d) regiune de conducie.
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
139
38. 1p
Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 4 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; b) regiune de blocare la polarizare direct; c) regiune de rezisten negativ. d) regiune de conducie.
39. 1p
Caracteristica static a unei diode Shockley este prezentat n figura 7.4. Cu 5 este notat:
a) regiune de blocare la polarizare invers; b) regiune de blocare la polarizare direct; c) regiune de rezisten negativ. d) regiune de conducie.
40. 1p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 1 este notat:
vT1T2
iT1T2
1 2 3
4 5 6
Figura 7.5
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
41. 1p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 2 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
42. 1p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 3 este notat:
a) regiune de strpungere;
-
Elemente de electronic analogic - teste
140
b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
43. 1p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 4 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
44. 1p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 5 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
45. 1p
Caracteristica static a unui diac este prezentat n figura 7.5. Cu 6 este notat:
a) regiune de strpungere; b) regiune de blocare; c) regiune de rezisten negativ; d) regiune de conducie;
46. 2p
Tiristorul blocat se modeleaz ca n figura notat:
a)
C
A
b)
C
A
c)
C
A
E
d)
C
A
E
47. 2p
Tiristorul n conductie se modeleaz ca n figura notat:
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
141
a)
C
A
b)
C
A
c)
C
A
E
d)
C
A
E
48. 4p
Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. Figura 7.7 prezint modul de variaie n timp a tensiunii de alimentare Vs i a curentului de comand aplicat pe grila tiristorului iG. n aceste condiii, cderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentat n figura notat:
RL Tr
vA
Vp
iL
Vs iG
vL
T
vs
iG
t
t
Figura 7.6 Figura 7.7
a)
vs
iG
vA t
t
t
b)
vs
iG
vA t
t
t
c)
vs
iG
vA t
t
t
d)
vs
iG
vA t
t
t
49. Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. Figura 7.7
-
Elemente de electronic analogic - teste
142
4p prezint modul de variaie n timp a tensiunii de alimentare Vs i a curentului de comand aplicat pe grila tiristorului iG. n aceste condiii, cderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcin tiristor este prezentat n figura notat:
RL Tr
vA
Vp
iL
Vs iG
vL
T
vs
iG
t
t
Figura 7.6 Figura 7.7
a)
vs
iG
vL t
t
t
b)
vs
iG
vL t
t
t
c)
vs
iG
vL t
t
t
d)
vs
iG
vL t
t
t
50 2p
Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. n condiiile n care tiristorul este n conducie aceast schem se modeleaz ca n figura notat:
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
143
a)
RL Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RL Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RLTr
vA
Vp
iL
VsvL
T
d)
RLTr
vA
Vp
iL
VsvL
T
51 2p
Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. n condiiile n care tiristorul este blocat aceast schem se modeleaz ca n figura notat:
a)
RL Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RL Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RLTr
vA
Vp
iL
VsvL
T
d)
RLTr
vA
Vp
iL
VsvL
T
52 4p
Figura 7.6 prezint un redresor monoalternan comandat. Formele und care caracterizeaz funcionarea sunt prezentate n figura 7.8. n condiiile n care tensiunea din secundarul transformatorului are expresia ( ) tVtv sS sin= cdere de tensiune de pe sarcin (vL) are expresia:
-
Elemente de electronic analogic - teste
144
vs
iG
vL
t1
vA t
0
t
t
t2 t3t4 t5 t6t7 t8t
Figura 7.8
a) { }
+++++
=
Zk
ZksL kTtkTttpentru
kTtkTtkTtkTtpentrutVtv
),(0),(),(sin
)(11
321
b) { }
+++++
=
Zks
ZkL kTtkTttpentrutV
kTtkTtkTtkTtpentrutv
),(sin2),(),(0
)(11
321
c) { }
++
+++=
Zk
ZksL kTtkTttpentru
kTtkTtkTtkTtpentrutVtv
),(0),(),(sin2
)(11
321
d) { }
+++++
=
Zks
ZkL kTtkTttpentrutV
kTtkTtkTtkTtpentrutv
),(sin),(),(0
)(11
321
53 4p
Figura 7.9 prezint o aplicaie tipic pentru funcionarea unui triac. Funcionarea acestui circuit este descris de formele de unda reprezentate n figura notat:
RL Tr
vA Vp
iL
Vs iG
vL
Tc
Figura 7.9
-
Dispozitive semiconductoare multijonciune
145
a)
vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
b) vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
c)
vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
d)
vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
-
Elemente de electronic analogic - teste
146
Rspunsuri
1. Rspuns corect a) 31. Rspuns corect b.) 2. Rspuns corect b.) 32. Rspuns corect b.) 3. Rspuns corect c) 33. Rspuns corect c.) 4. Rspuns corect d) 34. Rspuns corect c.) 5. Rspuns corect a) 35. Rspuns corect a.) 6. Rspuns corect b) 36. Rspuns corect a.) 7. Rspuns corect c.) 37. Rspuns corect b.) 8. Rspuns corect d) 38. Rspuns corect c.) 9. Rspuns corect a) 39. Rspuns corect d.) 10. Rspuns corect d) 40. Rspuns corect d.) 11. Rspuns corect b) 41. Rspuns corect c.) 12. Rspuns corect b) 42. Rspuns corect b.) 13. Rspuns corect a) 43. Rspuns corect b.) 14. Rspuns corect c) 44. Rspuns corect c.) 15. Rspuns corect d) 45. Rspuns corect d.) 16. Rspuns corect c) 46. Rspuns corect b.) 17. Rspuns corect c) 47. Rspuns corect a.) 18. Rspuns corect a) 48. Rspuns corect b) 19. Rspuns corect a) 49. Rspuns corect d) 20. Rspuns corect b) 50. Rspuns corect d) 21. Rspuns corect a) 51. Rspuns corect c) 22. Rspuns corect b) 52. Rspuns corect d.) 23. Rspuns corect c) 53. Rspuns corect d) 24. Rspuns corect d) 25. Rspuns corect a) 25. Rspuns corect a) 26. Rspuns corect b) 27. Rspuns corect c) 28. Rspuns corect d.) 29. Rspuns corect d) 30. Rspuns corect c.)