21. Pentru a-şi îndeplini funcţia specifică, dioda semiconductoare care trebuie polarizată invers este dioda:
a) de comutaţie;
b) varicap;
c) redresoare;
d) detectoare.
22. Printr-o joncţiune pn polarizată direct, intensitatea curentului electric:
a) este mică şi are sensul de la p spre n, indiferent de valoarea tensiunii de polarizare;
b) este mare şi are sensul de la n spre p, indiferent de valoarea tensiunii de polarizare;
c) este mare şi are sensul de la p spre n, dacă valoarea tensiunii de polarizare depăşeşte valoarea
tensiunii de “deschidere”;
d) este mică şi are sensul de la n spre p, dacă valoarea tensiunii de polarizare depăşeşte valoarea
tensiunii de “deschidere”.
23. Factorul de amplificare în curent o se defineşte, în cazul unui tranzistor bipolar de tip pnp, prin
raportul:
a) o = IpC / IE b) o = ICBO / IE
c) o = IB / IE d)o = Ir / IE
24. Efectul Early constă în :
a) modularea grosimii bazei prin variaţia grosimii bazei neutre cu tensiunile aplicate pe
joncţiuni ;
b) deplasarea limitată şi elastică a ionilor materialului sub acţiunea câmpului electric ;
c) orientarea pe direcţia câmpului electric aplicat a momentelor electrice din material ;
d) limitarea vitezei de câmp a purtătorilor de sarcină la creşterea câmpului electric aplicat.
25. Caracteristica corespunzătoare unei tensiuni poartă-sursă UGS=0 este: ID UGS1
a) UGS1;
b) UGS2; UGS2
c) UGS3;
d) UGS4.
26. Circuitul din figură este utilizat în construcţia: DZ 1 DZ2
a) redresoarelor;
b) stabilizatoarelor;
UGS3
UGS4
UDS
c) oscilatoarelor;
d) amplificatoarelor.
27. Panta caracteristicii dinamice a unui etaj amplificator de tensiune, cu un tranzistor, depinde de:
a) Valoarea tensiunii de alimentare;
b) Valoarea rezistenţei de sarcină;
c) Nivelul semnalului aplicat la intrarea amplificatorului;
d) Frecvenţa semnalului.
28. Amplificatorul operaţional din figură este în configuraţie de : R2
a) neinversor ;
b) repetor ;
c) sumator ;
d) inversor.
29. Expresia logică corespunzătoare circuitului din figură este :
a) AB ;
b) A+B;
c) AB ;
d) A+B.
30. La conectarea unui tranzistor cu efect de câmp cu poarta izolată în circuit, precum şi la transport şi
manipulare se obişnuieşte să se conecteze terminalele împreună. Aceasta se face pentru :
a) a împiedica terminalele să se rupă ;
b) a folosi conductibilitatea termică bună a terminalelor pentru a menţine o temperatură uniformă
în dispozitiv ;
c) a împiedica inducerea curenţilor în canal prin supraîncălzirea dispozitivului ;
d) a împiedica acumularea accidentală de sarcini electrice pe electrodul de poartă şi distrugerea
stratului izolator.
I1 R1 Ir Ii - +
V1 V0
A
B