7/25/2019 TEC MOS

1/5

(TEC - MOS)

Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat

Spre deosebire de TEC-J, la tranzistoareleTEC - MOS (Metal Oxide Semiconductor)

grila este izolat de semiconductor prin intermediul unui strat de oxid de siliciu oarte

sub!ire" #n unc!ie de modul de ormare a canalului de conduc!ie al curentului electric,

tranzistoarele TEC-MOS se clasiic $n dou categorii%

- TEC-MOS cu canal indus

- TEC-MOS cu canal ini!ial

Fig. 2.1. Simbolurile TEC & MOS

TEC-MOS cu canal indus

Structura este ormat dintr-un substrat de

material semiconductor, de exemplu de tip p, iarzona centrala a suprae!ei superioare a

materialului este acoperit cu un strat sub!ire de

oxid de siliciu care este un oarte bun izolant

electric" Supraa!a

stratului de oxid este metalizat" 'n substratul semiconductor de tip p, la marginile

stratului de oxid, se creeaz dou insule de tip n, ai cror electrozi metalici sunt

sursa (S) i drena()" *rila este conectat la supraa!a metalic a stratului de oxid"+n al patrulea electrod, numit baz, este conectat la substratul sermiconductor i

este de obicei legat intern la surs"

unc!ionare%

aca grila nu este polarizat atunci $ntre surs i dren sunt trei zone% n, p i n

care sunt eci.alente cu dou diode aezate $n opozi!ie i de aceea curentul nu

poate trece" ac se scurtcircuiteaz grila la surs se constat c nici $n acest caz nu exist

7/25/2019 TEC MOS

2/5

curent de dren deoarece /onc!iunea dren substrat este polarizat in.ers si nu

permite inciderea circuitului"

ac grila este polarizat cu o tensiune poziti. +*Ssuicient de mare atunci

$ntreaga tensiune se regasete pe stratul izolant,

structura MOS se comport caun condensator plan" 0e contactul metalic al grilei apar sarcini poziti.e i, prin

inluen! electrostatic, pe partea opus, adic $n substrat apar sarcini negati.e,

unind cele dou regiuni $ntre ele printr-un canal de tip n i pemi!1nd trecerea

curentului" Tensiunea +*Sla care se induce canalul i apare curentul se numete

tensiune de prag"

Caracteristici statice % a) de ieire #2(+S), cu +*S2const"

b) de transer #2(+*S), cu +dS2const

a) caracteristici de ieire b) caracteristici de transer

TEC-MOS cu canal ini!ial

Structura pentru TEC-MOS cu canal ini!ial este

asemntoare cu a celui cu canal indus, cu deosebireac $ntre surs i dren, la supraa!a substratului

semiconductor exist un canal conductor"

unc!ionareaimplic unele deosebiri a! de cel cu

canal indus deoarece existen!a canalului ace ca prin tranzistor s circule un curent

de drenpentru tensiuni de gril att pozitive ct i negative"

unc!ionare% 3a tensiune de gril zero curentul de dren nu mai este nul ci are o anumit

7/25/2019 TEC MOS

3/5

.aloare"

3a TEC cu canal ini!ial de tip n, tensiunile poziti.e pe gril .or mri conductan!a

canalului i curentul de dren (pentru o tensiune de dren dat) pentru c atrag

mai mul!i electroni $n canal, iar tensiunile negati.e .or micora conductan!acanalului, pentru c resping electronii din canal"

Caracteristici statice %

a) caracteristici deieire b) caracteristici de transer

"olarizarea TEC-MOS

0entru tranzistoarele MOS cu canal industensiunile

de pe dren i gril au aceeai polaritate i de aceea se

poate olosi o surs unic de c"c"

+*S2 +456 (47845) +S2 +& 4#

7/25/2019 TEC MOS

4/5

0entru tranzistoarele MOS cu canal ini!ialpolarizarea

se ace astel $nc1t tensiunea de gril s poat a.ea at1t.aloripoziti.e c1t i negati.e" 9cestea se ob!in prin

alegerea con.enabil a rezisten!elor 47, 45i 4s"

+*S2 +456 (47845) & 4S#

"recau!ii #i msuri speciale de utilizare a TEC-MOS

atorit rezisten!elor mari i capacit!ilor mici ale structurii gril-canal din

tranzistorul MOS, pot aprea tensiuni mari de strpungere datorate acumulrii de

sarcin electrostatic ciar la manipularea tranzistoarelor" Cum capacitatea depuneriimetalice a grilei a! de ceilal!i electrozi este oarte mic (ordinul 7: -75), sarcini extrem

de mici, accidentale (7:-7: C) pot determina tensiuni de ordinul 7:5 ;" 9ceste tensiuni

strpung oxidul stratului izolator, de grosime oarte mic (de exemplu SiO5de :,7

7/25/2019 TEC MOS

5/5

- scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel care .a i $ndeprtat) at1t timp c1t

tranzistorul este depozitat sau manipulat>

- legarea la mas a .1rului pistolului de lipit cu care se lucreaz>

- $n monta/e este indicat ca tranzistorul s ie prote/at de un ecran $mpotri.a

$ncrcrilor electrostatice>

respectarea unor tenologii speciale de testare, montare i depanare