Funcţionarea Tranzistorului Mos 1
-
Upload
marius-condurache -
Category
Documents
-
view
214 -
download
0
Transcript of Funcţionarea Tranzistorului Mos 1
-
7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1
1/4
FUNCIONAREA TRANZISTORULUI MOS
3.2.1 OBIECTIVE
Caracteristicile tranzistorului MOS; Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven; Amplificarea tranzistorului MOS.
3.2.2 ASPECTE TEORETICE
3.2.2.1 Caracteristicile statice
Se consider un tranzistor MOS cu canal n, indus, cu structurasimplificat, simolul i mrimile asociate din fi!. "." care func#ioneaz$ la otensiune de poart$ VG >VT .
tensiune de poart$ VG >VT .
Ca urmare a aplic$rii pe poart$ a unei tensiuni pozitive, %n cazul unuitranzistor cu canal n, electronii din sustrat sunt atra&i c$tre suprafa#asemiconductorului. 'entru VG >VT la suprafa#a semiconductorului apare un strat de
inversie (canal) ce se %ntinde de la surs$la dren$.*rena, canalul &i sursa sunt izolate fa#$ de sustrat prin re!iunea !olit$ ce
apare su acestea. +naceste condi#ii, curentul de dren$ ( I D ) va circula de la surs$
la dren$numai prin canal.
Tensiunea de pa! (VT) este parametrul MOS ce marcheaz$ limita%ntre locare &i conduc#ie. a tranzistorul MOS cu dou$ por#i tensiunea de pra!este controlat$de tensiunea aplicat$ pe sustrat-
VT =
VT 0 +(+VBS ) (".)
-
7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1
2/4
unde, VT0 este tensiunea de pra! %n asen#a polariz$rii sustratului (VBS =0), estepoten#ialul la suprafa#a semiconductorului %n inversie puternic$ iar este factorul
de sustrat (cu valori pozitve la n/MOS, n >0 &i ne!ative la p/MOS, p
-
7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1
3/4
k
=W
k'
=W
(".7)
L LCo
unde, W &i L sunt l$#imea respectiv lun!imea canalului, iar Co capacitatea (pe
unitatea de arie) a o1idului de poart$ (fi!. ".). 6aportulW
este factorul deL
!eometrie al tranzistorului MOS.
(a)
()
Fi!. 3.- Caracteristicile MOS- (a) de ieire; () de transfer !D ( "GS) .
Fi!. 3. *omeniile pentru locare &i conduc#ie pentru tranzistorul n/MOS.
-
7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1
4/4
'arametrul modeleaz$efectul de scurtare a canalului cu tensiunea de dren$%nsatura#ie (efectul 9arl: pentru MOS).
Pun#(u% s(a(i# de /un#+i"nae este definit de m$rimile ID, VGS, VDS &i eventualVBS (dac$sustratul este activ nu este le!at la surs$).