Funcţionarea Tranzistorului Mos 1

download Funcţionarea Tranzistorului Mos 1

of 4

Transcript of Funcţionarea Tranzistorului Mos 1

  • 7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1

    1/4

    FUNCIONAREA TRANZISTORULUI MOS

    3.2.1 OBIECTIVE

    Caracteristicile tranzistorului MOS; Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven; Amplificarea tranzistorului MOS.

    3.2.2 ASPECTE TEORETICE

    3.2.2.1 Caracteristicile statice

    Se consider un tranzistor MOS cu canal n, indus, cu structurasimplificat, simolul i mrimile asociate din fi!. "." care func#ioneaz$ la otensiune de poart$ VG >VT .

    tensiune de poart$ VG >VT .

    Ca urmare a aplic$rii pe poart$ a unei tensiuni pozitive, %n cazul unuitranzistor cu canal n, electronii din sustrat sunt atra&i c$tre suprafa#asemiconductorului. 'entru VG >VT la suprafa#a semiconductorului apare un strat de

    inversie (canal) ce se %ntinde de la surs$la dren$.*rena, canalul &i sursa sunt izolate fa#$ de sustrat prin re!iunea !olit$ ce

    apare su acestea. +naceste condi#ii, curentul de dren$ ( I D ) va circula de la surs$

    la dren$numai prin canal.

    Tensiunea de pa! (VT) este parametrul MOS ce marcheaz$ limita%ntre locare &i conduc#ie. a tranzistorul MOS cu dou$ por#i tensiunea de pra!este controlat$de tensiunea aplicat$ pe sustrat-

    VT =

    VT 0 +(+VBS ) (".)

  • 7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1

    2/4

    unde, VT0 este tensiunea de pra! %n asen#a polariz$rii sustratului (VBS =0), estepoten#ialul la suprafa#a semiconductorului %n inversie puternic$ iar este factorul

    de sustrat (cu valori pozitve la n/MOS, n >0 &i ne!ative la p/MOS, p

  • 7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1

    3/4

    k

    =W

    k'

    =W

    (".7)

    L LCo

    unde, W &i L sunt l$#imea respectiv lun!imea canalului, iar Co capacitatea (pe

    unitatea de arie) a o1idului de poart$ (fi!. ".). 6aportulW

    este factorul deL

    !eometrie al tranzistorului MOS.

    (a)

    ()

    Fi!. 3.- Caracteristicile MOS- (a) de ieire; () de transfer !D ( "GS) .

    Fi!. 3. *omeniile pentru locare &i conduc#ie pentru tranzistorul n/MOS.

  • 7/24/2019 Funcionarea Tranzistorului Mos 1

    4/4

    'arametrul modeleaz$efectul de scurtare a canalului cu tensiunea de dren$%nsatura#ie (efectul 9arl: pentru MOS).

    Pun#(u% s(a(i# de /un#+i"nae este definit de m$rimile ID, VGS, VDS &i eventualVBS (dac$sustratul este activ nu este le!at la surs$).