Se pare c cel mai bine este s folosesc un programator paralel. in cont c Windows NT nu admite Direct IO, deci folosesc dll-ul din folderul ! DLL interf cu portul paralel in C si VisualBasic

Pot cuta i un IC-PROG mai nou care admite PIC 16F87.

Pot folosi i schemele din PIC 16F8X programatoare seriale simple complete i caut sau scriu program.

Am impresia c PIC 16F87 este setat iniial ca s fie programat la tensiune mic. Deci trebuie s l programez aa.! PIC16f87 programare FLASH.pdf

Permite i programarea la tensiunea de alimentare normal, dar folosete un pin suplimentar: RB3.Poate de aceea nu merge.Odat dat o adres din memoria de configurare (2000H3FFFH), nu se mai poate reveni n memoria de program (01FFFH) dect prin RESET.( Memoria de configurare se programeaz ULTIMA:Pentru memoria de configurare sunt implemantate adresele 2000-201f i sunt accesibile 2000-2008.Este posibil ca s se foloseasc adrese din memoria de configurare pentru:

a se citi programele protejate.

A se folosi faciliti diferite. Presupun c poate mai multe tipuri de procesoare sunt aproape identice, dar anumite date memorate n memoria de configurare face ca fiecare s arate altfel. De exemplu, s aib ADC. Pentru protecie suplimentar, este posibil ca ele s fie accesibile numai dac se ndeplinesc anunite condiii (anumii bii setai n alte zone) sau s-au dat unele instr sau ciclurile de scriere-citire sunt diferite. De asemenea, atunci cnd se scrie un octet n memoria de date, se folosesc 8 bii util i ase ce par inutili, care ar putea fi folosii pentru darea unor comenzi. De asemenea, chiar i la transferul instruciunilor de 14 bii se adaug doi bii ce pot fi folosii altfel. n memoria de configurare se pot memora date de identificare. Microchip recomand ca s nu se folsesc toi biii. De ce? Pentru c au i alte funcii.256 octei date i 4ko cuvinte de instruciuni.Program mode( RB6=RB7=L & -MCLR: L ( Tensiune de programare. Trebuie ca MCLR s ating tensiunea de programare n interv de 250 micros n care crete VDD. RB3 nu conteaz.Se programeaz cte 4 cuvinte de program deodat.1. Set pointer to row location.

2. Issue a Begin Erase command.

3. Wait tprog2.

4. Issue an End Programming command.

5. Load a word at the current program memory

address using the Load Data command.

6. Issue an Increment Address command.

7. Load a word at the current program memory

address using the Load Data command.

8. Repeat Step 6 and Step 7 two times.

9. Issue a Begin Programming command to begin

programming.

10. Wait tprog1.

11. Issue an End Programming command.

12. Increment to the next address.

13. Repeat steps 5 through 12 seven times to program one row.Low-Voltage ICSP Programming Mode ( Rb3: L ( VDD, apoi MCLR=VDD. Este necesar ca s nu fi fost executate 72 de oscilaii ale ceasului pn MCLR = VDD

Este activat cu ajutorul bitului de configurare LVP=1.LVP este programat din fabric pe 1.( Este posibil ca dac programez cu datele pentru alt circuir s l terg.

( Control LVP.

Dac LVP=1, se intr n modul de programare cu tensiune mic cu secvena:1. Apply VDD to the VDD pin.

2. Drive MCLR low.

3. Apply VDD to the RB3/PGM pin.

4. Apply VDD to the MCLR pin.

RB6=clock

RB7=data

Citire bii comand pe frontul descresctor. Bitul cel mai puin semnificativ este primul.

Datele pe RB6 trebuie s aibe un timp minim tset i thold1.ntre comand li date trebuie o ntrziere de 1 microsec.

Cei 14 bii ai instruciunii transferate sunt precedai i urmai de cte un bit = 0 ( 16 cicli de ceas.ntre comenzi se asigur 1 mircos.

La citire datele sunt trimise pe frontul cresctor.Capcan: ei ncep cu comanda LOAD CONFIGURATION, care face necesra un RESET pentru a se accesa memoria de program. ncep cu trimiterea datelor.Sau MCLR=L (RESET).La ncrcarea datelor se folosesc tot 16 cicli de ceas, dup cei 8 bii utili urmnd 6 0.Comenzile:BEGIN ERASE: date i programe; 1 octet / 32 cuvinte.

BEGIN PROGRAMMING ONLY.

Pagina 10: se descrie cum se terge codul i datele dac este sau nu este activat protecia la citire.Cea mai tare este CHIP ERASE, care terge memoria indiferent de activarea codului de protecie la citire, dar necesit VDD=4,55.5V.n cazul memoriei de configurare nu este necesar comanda BEGIN ERASE.Se descriu cuvinte de conf: LVP, etc.n fiierul HEX trebuie incluse cuvintele de configurare.Timpi: tprog1 = tprog2 > 1 ms dac CDD>= 4,5 V.CHIP ERASE Tprog4 > = 8 ms.

Tensiunea pe MCLR i RA4 (de ce?) = VDD+3,5V13,5V. --. O tensiune bun este 8 V.Timp de cretere MCLR