Tranzistoare cu efect de camp

1.Figura 1 prezint simbolul unui:

Figura 1

a) TECJ cu canal pb) TECJ cu canal nc) TECMOS cu canal iniial pd) TECMOS cu canal iniial n

2.Figura 2 prezint simbolul unui:

Figura 2

a) TECJ cu canal pb) TECJcu canal nc) TECMOS cu canal iniial pd) TECMOS cu canal iniial n

3.Figura 3 prezint simbolul unui:

Figura 3

a) TECMOS cu canal indus pb) TECMOS cu canal indus nc) TECMOS cu canal iniial pd) TECMOS cu canal iniial n

4.Figura 4 prezint simbolul unui:

Figura 4

a) TECMOS cu canal indus pb) TECMOS cu canal indus nc) TECMOS cu canal iniial pd) TECMOS cu canal iniial n

a) TECMOS cu canal indus pb) TECMOS cu canal indus nc) TECMOS cu canal iniial pd) TECMOS cu canal iniial n

6.Figura 6 prezint simbolul unui:

Figura 6

a) TECMOS cu canal indus pb) TECMOS cu canal indus nc) TECMOS cu canal iniial pd) TECMOS cu canal iniial n

7.Tipurile de tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat (TECMOS) sunt:a) canal n i canal p, att cu canal indus ct i cu canal iniial;b) canal n i canal p, numai cu canal indus;c) canal n i canal p, numai cu canal iniial;d) numai canal n, att cu canal indus ct i cu canal iniial.

8.La conectare unui tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat (TECMOS) n circuit, precum i la transportarea i manipularea lui se obinuiete s se conecteze terminalele mpreun. Aceasta se face pentru:a) a mpiedica terminalele s se rup;b) a folosi conductibilitate bun a terminalelor pentru a menine o temperatur uniform n dispozitiv;c) a mpiedica acumularea accidental de sarcini electrice pe electrodul de poart, deoarece aceasta ar putea crea un cmp suficient de mare pentru a distruge stratul izolator;d) a mpiedica introducerea curenilor n canal prin supranclzirea dispozitivului

9.Care sunt condiiile corecte de polarizare pentru un TECJ cu canal n folosit ca simplu amplificator?a) grila negativ fa de surs, drena negativ fa de gril;b) grila pozitiv fat de surs, drena pozitiv fa de gril;c) grila negativ fa de surs, drena pozitiv fa de gril;d) grila pozitiv fa de surs, drena negativ fa de gril.

10.Care sunt condiiile corecte de polarizare pentru un TECJ cu canal p folosit ca simplu amplificator?a) grila negativ fa de surs, drena negativ fa de gril;b) grila pozitiv fat de surs, drena pozitiv fa de gril;c) grila negativ fa de surs, drena pozitiv fa de gril;d) grila pozitiv fa de surs, drena negativ fa de gril.

11.Care sunt condiiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal indus n folosit ca simplu amplificator?a) grila negativ fa de surs, drena negativ fa de gril;b) grila pozitiv fat de surs, drena pozitiv fa de gril;c) grila negativ fa de surs, drena pozitiv fa de gril;d) grila pozitiv fa de surs, drena negativ fa de gril.

12.Care sunt condiiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal indus p folosit ca simplu amplificator?a) grila negativ fa de surs, drena negativ fa de gril;b) grila pozitiv fat de surs, drena pozitiv fa de gril;c) grila negativ fa de surs, drena pozitiv fa de gril;d) grila pozitiv fa de surs, drena negativ fa de gril.

13.Care sunt condiiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal iniial n folosit ca simplu amplificator?a) grila intotdeauna negativ fa de surs, drena intotdeauna negativ fa de surs;b) grila intotdeauna negativ pozitiv fat de surs, drena intotdeauna negativ pozitiv fa de surs;c) grila uneori negativ alteori fa de surs, drena pozitiv fa de surs;d) grila uneori negativ alteori fa de surs, drena negativ fa de surs.

14.Care sunt condiiile corecte de polarizare pentru un TECMOS cu canal iniial p folosit ca simplu amplificator?a) grila intotdeauna negativ fa de surs, drena intotdeauna negativ fa de surs;b) grila intotdeauna negativ pozitiv fat de surs, drena intotdeauna negativ pozitiv fa de surs;c) grila uneori negativ alteori fa de surs, drena pozitiv fa de surs;d) grila uneori negativ alteori fa de surs, drena negativ fa de surs.

15.n practic jonciunea poart (gril)- canal a unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune, funcionnd n regiunea de saturaie este:a) nepolarizat;b) uneori polarizat invers, alteori polarizat direct c) totdeauna polarizat invers;d) totdeauna polarizat direct

16.Ecuaiile de mai jos:

iD=iD(vDS, vGS)iG0

reprezint modelul matematic al unui tranzistor cu efect de cmp care lucreaz:a) n regim dinamic de semnal mare;b) n regim cvasistatic de semnal mare;c) n regim dinamic de semnal mic;d) n regim cvasistatic de semnal mic.

17.Ecuaiile de mai jos:

reprezint modelul matematic al unui tranzistor cu efect de cmp care lucreaz:a) n regim dinamic de semnal mare;b) n regim cvasistatic de semnal mare;c) n regim dinamic de semnal mic;d) n regim cvasistatic de semnal mic.

18.Ecuaiile de mai jos:

reprezint modelul matematic al unui tranzistor cu efect de cmp care lucreaz:a) n regim dinamic de semnal mare;b) n regim cvasistatic de semnal mare;c) n regim dinamic de semnal mic;d) n regim cvasistatic de semnal mic.

19.n conexiunea surs comun:

a) semnalul de intrare se aplic ntre gril i surs iar semnalul de ieire se culege ntre dren i surs;b) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i dren iar semnalul de ieire se culege ntre surs i dren;c) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i surs iar semnalul de ieire se culege ntre dren i gril;d) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i dren iar semnalul de ieire se culege ntre surs i mas.

20.n conexiunea dren comun:

a) semnalul de intrare se aplic ntre gril i surs iar semnalul de ieire se culege ntre dren i surs;b) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i dren iar semnalul de ieire se culege ntre surs i dren;c) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i surs iar semnalul de ieire se culege ntre dren i gril;d) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i mas iar semnalul de ieire se culege ntre surs i gril.

21.n conexiunea gril comun:

a) semnalul de intrare se aplic ntre gril i surs iar semnalul de ieire se culege ntre dren i surs;b) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i dren iar semnalul de ieire se culege ntre surs i dren;c) semnalul de intrare se aplic c ntre gril i surs iar semnalul de ieire se culege ntre dren i surs;d) semnalul de intrare se aplic c ntre surs i gril iar semnalul de ieire se culege ntre dren i gril.

22.Figura 7 prezint caracteristica static de ieire a unui tranzistor cu efect de cmp. Regiunea de blocare este notat cu:

Figura 7

a) 1;b) 2;c) 3;d) nu este prezent

23.Figura 7 caracteristica static de ieire a unui tranzistor cu efect de cmp. Regiunea de saturaie este notat cu:

a) 1;b) 2;c) 3;d) nu este prezent

24.Figura 7 prezint caracteristica static de ieire a unui tranzistor cu efect de cmp. Regiunea liniar este notat cu

a) 1;b) 2;c) 3;d) nu este prezent

25.n figura 8. este prezentat caracteristica de ieire a unui:

Figura 8

a) TECJ cu canal n;b) TECMOS cu canal iniial n;c) TECMOS cu canal indus n;d) Tranzistor bipolar de tip pnp

26.n figura 9 este prezentat caracteristica de ieire a unui:

Figura 9

a) TECJ cu canal n;b) TECMOS cu canal iniial n;c) TECMOS cu canal indus n;d) Tranzistor bipolar de tip pnp

27.n figura 10 este prezentat caracteristica de ieire a unui:

Figura 10

a) TECJ cu canal n;b) TECMOS cu canal iniial n;c) TECMOS cu canal indus n;d) Tranzistor bipolar de tip pnp

28.Figura 11 prezint o comparaie ntre caracteristicile de transfer ale diverselor tipuri de tranzistoare cu efect de cmp cu canal n. Cu 1. este notat caracteristica de transfer pentru:

Figura 11

a) TECJ;b) TECMOS cu canal iniial;c) TECMOS cu canal indus;d) Tranzistor bipolar

29.Figura 11 prezint o comparaie ntre caracteristicile de transfer ale diverselor tipuri de tranzistoare cu efect de cmp cu canal n. Cu 2. este notat caracteristica de transfer pentru:

a) TECJ;b) TECMOS cu canal iniial;c) TECMOS cu canal indus;d) Tranzistor bipolar

30.Figura 11 prezint o comparaie ntre caracteristicile de transfer ale diverselor tipuri de tranzistoare cu efect de cmp cu canal n. Cu 3. este notat caracteristica de transfer pentru:

a) TECJ;b) TECMOS cu canal iniial;c) TECMOS cu canal indus;d) Tranzistor bipolar

31.n regim de blocare tranzistorul cu efect de cmp se comport:

a) ca un circuit ntrerupt b) ca un scurt circuit c) ca o rezisten comandat d) ca un generator de curent comandat n tensiune

32.n regim liniar tranzistorul cu efect de cmp se comport:

a) ca un circuit ntrerupt b) ca un scurt circuit c) ca o rezisten comandat d) ca un generator de curent comandat n tensiune

33.n regim de saturaie tranzistorul cu efect de cmp se comport:

a) ca un circuit ntrerupt b) ca un scurt circuit c) ca o rezisten comandat d) ca un generator de curent comandat n tensiune

34.n figura 12 este prezentat schema echivalent a unui tranzistor cu efect de cmp cu canal n care lucreaz n:

Figura 12

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

35.n figura 13 este prezentat schema echivalent a unui TECJ cu canal n care lucreaz n:

Figura 13

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

36.n figura 14 este prezentat schema echivalent a unui TECMOS cu canal n care lucreaz n:

Figura 14

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

37.n figura 15 este prezentat schema echivalent a unui tranzistor cu efect de cmp cu canal n care lucreaz n:

Figura 15

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

38.n figura 13 este prezentat schema echivalent a unui TECJ cu canal n care lucreaz nregiunea de saturaie n regim:

a) regim cvasistatic de semnal mareb) regim cvasistatic de semnal micc) regim dinamic de semnal mared) regim dinamic de semnal mic

39.n figura 14 este prezentat schema echivalent a unui TECMOS cu canal n care lucreaz nregiunea de saturaie n regim:

a) regim cvasistatic de semnal mareb) regim cvasistatic de semnal micc) regim dinamic de semnal mared) regim dinamic de semnal mic

40.Ecuaiile de mai jos reprezint modelul matematic al unui tranzistor cu efect de cmp care lucrez n:

iD0iG0

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

41.Ecuaiile de mai jos reprezint modelul matematic al unui TECJ care lucrez n:

iG0

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

42.Ecuaiile de mai jos reprezint modelul matematic al unui TECMOS care lucrez n:

iG0

a) regiunea liniarb) regiunea de saturaiec) regiunea de blocared) regiunea liniar sau de saturaie

43.n figura 16 este prezentat schema echivalent a unui tranzistor cu efect de cmp care lucreaz n:

Figura 16

a) regim cvasistatic de semnal mareb) regim cvasistatic de semnal micc) regim dinamic de semnal mared) regim dinamic de semnal mic

44.Ecuaiile de mai jos reprezint modelul matematic al unui tranzistor cu efect de cmp care lucreaz n:

ig=0id=gmvgs

a) regim cvasistatic de semnal mareb) regim cvasistatic de semnal micc) regim dinamic de semnal mared) regim dinamic de semnal mic

Rspunsuri corecte

1......b.)23......b.)

2......a.)24......a.)

3......d.)25......c.)

4......c.)26......b.)

5......c.)27......a.)

6......d.)28......a.)

7......a.)29......b.):

8......c.)30......c.)

9......c.)31......a.)

10......d.)32......c.)

11......b.)33......d.)

12......a.)34......c.)

13......c.)35......b.)

14......d.)36......b.)

15......c.)37......a.)

16......b.)38......a.)

17......d.)39......a.)

18......c.)40......c.)

19......a.)41......b.)

20......b.)42......b.)

21......d.)43......b.)

22......c.)44......b.)

S

B

GS

D

B

S

GS

D

B

D

S

GS

B

D

S

GS

uGS1

uGS2

uGS3

uGS4

uDS

ID

3

1

2

uGS1=2V

uGS2=3V

uGS3=4V

uGS4=5V

uDS

ID

uGS1=-1V

uGS2=0V

uGS3=1V

uGS4=2V

uDS

ID

uGS1=-3V

uGS2=-2V

uGS3=-1V

uGS4=0V

uDS

ID

2

vT

1

vGS

IDSS

IDSS

vT

vT

3

iD

G

D

S

G

vGS

vDS

IDSS EMBED Equation.2

VGS

G

S

D

_914267705.unknown

_952016501.unknown

EMBED Equation.2

vGS

G

S

D

_1115375143.unknown

G

S

D

R

vGS

_914267705.unknown

D

gmvgs

vgs

S

G

S

GS

D

S

GS

D