Lucrare de laborator

Tema : Caracteristica Curent Tensiune a Diodelor Semiconductoare.

Scopul Lucrarii: Sa cercetam dependenta I (A) de U (v) a unei diode semiconductoare la conexiunea in sens direct si in sens invers.

Efectuat de:

Dispozitive:1. Dioda de Si (Siliciu);2. Dioda de Ge (Germaniu);3. Voltmetru;4. Miliamperimetru;5. Microamperimetru;6. Rezistor cu R=10;7. Rezistor variabil cu R=(5001000)8. Sursa de curent;9. Fire de conexiune;

Considerente teoretice:1. Despre jonctiunea p n si proprietatea de a conduce unilateral curentul.2. Despre aplicatiile diodei semiconductoare;3. Despre caracteristica curent tensiune;

Mersul Lucrarii:I.Studiul dependentei I (mA) U (V) la conexiune directa.1. Alcatuiti Montajul experimental2. Mariti lent tensiunea cu 0.1 (V) pina la 0.7 (V), fixind de fiecare data indicatiile la miliamperimetru.3. Completam tabela de valori:DiodaU(V)0.1(V)0.2(V)0.3(V)0.4(V)0.5(V)0.6(V)0.7(V)

SiI(mA)

GeI(mA)

II. Studiul dependentei I (A) U (V) la conexiune inversa.1. Alcatuim montajul experimental.2. Variem U (V) cu cite 0.1 V pina la 0.5 V , fixind de fiecare data indicatiile la microamperimetru.3. Comparam tabela de valori:DiodaU(V)0.1(V)0.2(V)0.3(V)0.4(V)0.5(V)

SiI(A)

GeI(A)

III. 1. Construim graficul dependentei I (A) ~U (V).2. Descriem graficul obtinut.3. Din graphic determinam tensiunea stratului de baraj si curentului ce trece prin el.IV. *Facem concluzii.