1

Fabricare şi caracterizare experimentală a matricilor de

antene în banda W

Etapele tehnologice de fabricare a membranelor prin corodarea umeda a siliciului

TCSS n°1

TCSS n°2

bulk/membrane transition

membrane/bulk transition

+ DC

+ DC

Fotografie a microcomutatoarelor de tip cantilever

integrate pe membrană dielectrică;

Schita a sectiunii comutatorului suspendat pe membrana dielectrica subtire

2

Caracterizarea matricilor de antene slot foldat în domeniul undelor milimetrice

Radiation Pattern rated at the maximum

value [a.u.] (E-Plane)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0

30

60

90

120

150

180

-150

-120

-90

-60

-30

Proiectarea setului de măşti pentru următoarele loturi de matrici de antene şi structuri de test

(a) Layout antenă pentru 94 GHz; (b) layout modul de receptor imagistica pentru 94 GHz cu LNA si dioda detectoare Schottky integrat hibrid

(c) Detaliu al regiunii de pe siliciu; (d) Receiver pentru imagistica fara LNA

3

Caracterizare experimentală a structurilorde test de comutatoare

Setul complet de măşti pentru fabricarea comutatorului

Vedere 3D a modelului electromagnetic pentru comutatorul în poziţie (a) OFF (b) ON

1 21 41 61 81 100

Frequency (GHz)

Electromagnetic Simulations

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

DB(|S(2,1)|)

OFF_715_um

DB(|S(2,1)|)

OFF_565_um

DB(|S(2,1)|)

OFF_415_um

1 21 41 61 81 100

Frequency (GHz)

Electromagnetic Simulations

-20

-15

-10

-5

0

5

10

DB(|S(1,1)|)

OFF_715_um

DB(|S(1,1)|)

OFF_565_um

DB(|S(1,1)|)

OFF_415_um

1 21 41 61 81 100

Frequency (GHz)

Electromagnetic Simulations

-10

-5

0

5

DB(|S(2,1)|)

DOWN_715

DB(|S(2,1)|)

DOWN_565

DB(|S(2,1)|)

DOWN_415

1 21 41 61 81 100

Frequency (GHz)

Electromagnetic Simulations

-50

-40

-30

-20

-10

0

DB(|S(1,1)|)

DOWN_715

DB(|S(1,1)|)

DOWN_565

DB(|S(1,1)|)

DOWN_415

4

26-2930-38VTT X 5b

10-2330VTT X 5a

9-1024-28VTT X 3a

2333VTT X 2b

20-2134-35VTT X 2a

15-1627-28VTT X 1b

22-2327-33VTT X 1a

18-2033-34VTT O 2a

VOFF

[V]VON

[V]Structură

Investigarea actuării microcomutatoarelorRezultate caracterizare în domeniul microundelor

0.04 50 100 110

Frequency (GHz)

VTT x 1b off

-80

-60

-40

-20

0

DB(|S(1,1)|)

DB(|S(2,1)|)0.04 50 100 110

Frequency (GHz)

VTT x 1b 40 V on

-80

-60

-40

-20

0

DB(|S(1,1)|)

DB(|S(2,1)|)

0.04 50 100 110

Frequency (GHz)

VTT x 1b 100 V on

-80

-60

-40

-20

0

DB(|S(1,1)|)

DB(|S(2,1)|)

Masuratorile de parametrii S pentru diferiteconditii de polarizare pentru structura VTT X 1a:

(a) fara actuare;

(b) tensiune de actuare de 40 V; (c) tensiune de actuare de 100 V