MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

CATEDRA DE MICROELECTRONICI INGINERIE BIOMEDICALRAPORTLucrarea de laborator nr. 2la disciplina: ElectronicaStudierea tranzistoarelorbipolareA efectuat: st. gr. ISBM - 131A verificat: conf, univ, Mihai Luchita Chiinu 2014 Scopul lucrarii: determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunea cu baza comuna (BC) si cu emitorul comun (EC) si calcularea parametrilor h pentru semnale mici.

Notiuni teoretice generale:

Tranzistorul bipolar prezinta un dispozitiv semiconductor cu doua jonctiuni electron-

gol (n-p), formate printr-o succesiune de trei regiuni p-n-p sau n-p-n. Aceste structure

dispun de proprietati de amplificare a semnalului electric.

Zona de mijloc a tranzistorului se numeste baza (B) si are urmatoarele caracteristici:

este foarte ingusta (de ordinal micrometrilor sau chiar zecimilor de micrometri) si are

dotarea cu impuritati mult mai mica decit a celor laterale. O zona extrema cu cea mai mare

concentratie de dopare cu impuritati se numeste emitor (E), cealalta zona extrema se

numeste collector (C). Pe fieacare dintre aceste regiuni este realizat cite un contact ohmic,

pe care se sudeaza conductoarele terminale.

Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor statice a unui transistor

p-n-p in conexiune BC este aratata in figura 2.4

Schema pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice este aratata in figura 2.7

Caracteristica de intrare ale tranzistorului bipolar in conexiune BC

UEB, mV

20406080100120140160200240280

IE, mAUCB=0000.10.10.250.450.851.63.97.612.7

UCB=-5V000.050.10.250.551.051.94.69.117.4

UCB=-10 V0000.20.40.81.452.45.811.920.6

Caracteristica de iesire a tranzistorului bipolar in conexiune BC

UCB, V02468101214

IC,

AIE=0 mA1.611.812.512.913.213.51414.4

IC, mAIE=5 mA4.34.34.34.44.44.44.44.4

IE=10 mA8.78.88.98.98.98.999

Caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar cu conexiune EC

UBE, mV20406080100120140160200240280

IB, AUCE=0 V7204792172275441638121721003000

UCE=-5 V-6-405163669113271492790

UCE=-10 V-9-6-26183774120280527850

Caracteristica de iesire a tranzistorului bipolar cu conexiune EC

UCE, V00.511.5234681012

IC, mAIB=0

A 0.416.3 16.817.217.71919.820.8222323.6

IB=200A0.42.82.9333.13.23.43.63.84

IB=300A0.444.54.84.955.25.55.86.26.4

IB=400A0.46.56.56.66.777.27.68.18.69.1

Calculul parametrilor h:

h11B = 9

h11E = 150

h12B = 4x10-3

h12E = 18 x10-4 h21B = 0.93

h21E = 19 h22B = 0.021 x10-4 h22E = 1.55 x 10-4

Calculul parametrului hE dupa catalog:

h11E =130

h12E = 13 x10-4 h21E = 14 h22E = 2.8 x 10-4

Concluzie:

In urma acestui laborator am studiat cracteristicile statice a tranzistoarelor bipolare la in regim de scurt circuit si in regim normal. Pe baza graficelor am calculat valorile pentru parametrii h. S-a determinat ca rezistenta de intrare este cu mult mai mare (7.84 Ohmi decit cea de iesire (7.14*10-8 Ohmi), pentru ambele regimuri (Baza Comuna sau Emitor Comun). Valorile hE din catalog difera de cele experimentale._1447092489.unknown

_1447092493.unknown

_1447092495.unknown

_1447092496.unknown

_1447092497.unknown

_1447092494.unknown

_1447092491.unknown

_1447092492.unknown

_1447092490.unknown

_1447092487.unknown

_1447092488.unknown

_1447092486.unknown