Conductia Extrinseca a Semiconductorilor

2
Conductia extrinseca a semiconductorilor *Semiconductori de tip n. Se obtin prin dopare cu atomi care au numarul de electroni de valenta mai mare decat numarul de electroni de valenta ai atomului de baza. Presupunem ca intr- un cristal de Si se introduce ca dopant o impuritate pentavalenta de P care are cinci electroni de valenta. Se vor realiza legaturi covalente intre patru electroni de valenta ai fosforului cu patru electroni ai atomilor vecini de siliciu. Al cincilea electron de valenta se situeaza pe un nivel de energie mai ridicata decat ceilalti patru, devenind astfel cvasiliber. Din punct de vedere energetic dopajul siliciului cu atomi pentavalenti conduce la aparitia in banda interzisa Fermi a nivelurilor aditionale numite niveluri donoare (nd). Fiecare nivel donor reprezinta nivelul de energie

description

Conductia Extrinseca a Semiconductorilor

Transcript of Conductia Extrinseca a Semiconductorilor

Page 1: Conductia Extrinseca a Semiconductorilor

Conductia extrinseca a semiconductorilor*Semiconductori de tip n.Se obtin prin dopare cu atomi care au numarul de electroni de valenta mai mare decat numarul de electroni de valenta ai atomului de baza.Presupunem ca intr-un cristal de Si se introduce ca dopant o impuritate pentavalenta de P care are cinci electroni de valenta. Se vor realiza legaturi covalente intre patru electroni de valenta ai fosforului cu patru electroni ai atomilor vecini de siliciu.Al cincilea electron de valenta se situeaza pe un nivel de energie mai ridicata decat ceilalti patru, devenind astfel cvasiliber.Din punct de vedere energetic dopajul siliciului cu atomi pentavalenti conduce la aparitia in banda interzisa Fermi a nivelurilor aditionale numite niveluri donoare (nd). Fiecare nivel donor reprezinta nivelul de energie pe care se afla al 5-lea electron al donorului care nu participa la realizarea de legaturi covalente cu atomii de baza vecini. Pierderea celui de al 5-lea electron al donorului de catre atomul de P este echivalenta cu o tranzitie a unui electron situat pe un nivel donor in banda de conductie.Conductivitatea extrinseca o putem calcula astfel:

, unde:

-concentratia de electroni-sarcina electrica-masa

Iar dependenta conductivitatii de temperatura este urmatoarea: