Tranzisoare de Comutatie

5
1 Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii. Scopul lucrării - Studiul condiţiilor de saturaţie pentru TB; - Studiul aplicaţiilor cu TB în regim de comutaţie; 1. Condiţia de saturaţie Se consideră circuitul următor: Figura 1. Circuitul pentru studiul regimului de saturaţie. C CE CC C B BE B B R V V I R V E I - = - = ; Dacă PSF-ul se găseşte în S (la limita dintre RAN şi saturaţie), rezultă că: C CEsat CC Csat B BEs B inc Bsat R V V I R V E I - = - = ; _

description

Saturarea la TB

Transcript of Tranzisoare de Comutatie

  • 1

    Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar n regim de comutaie. Aplicaii.

    Scopul lucrrii

    - Studiul condiiilor de saturaie pentru TB; - Studiul aplicaiilor cu TB n regim de comutaie; 1. Condiia de saturaie Se consider circuitul urmtor:

    Figura 1. Circuitul pentru studiul regimului de saturaie.

    C

    CECCC

    B

    BEBB R

    VVIR

    VEI == ;

    Dac PSF-ul se gsete n S (la limita dintre RAN i saturaie), rezult c:

    C

    CEsatCCCsat

    B

    BEsBincBsat R

    VVIR

    VEI == ;_

  • 2

    ntre IBsat_inc i ICsat, datorit faptului c suntem la limita n RAN, avem:

    ( ) mcataimincBsat

    Csat

    II

    = log_min_

    Dac VCC i RC sunt fixate (impuse de un curent maxim permis prin TB, notat ICM), obinem relaia necesar ntre RB i EB pentru saturarea TB ( punctul de funcionare trebuie s se regaseasc la stnga punctului S din Fig. 1):

    Cm

    CEsatCC

    m

    CsatincBsat

    B

    BEBB R

    VVIIR

    VEI

    ==

    = _

    sau Cm

    CEsatCC

    B

    BEB

    RVV

    RVE

    .

    Aceast relaie, dac CCB VE = i CEsatCC VV >> ( ][7.06.0];[5.0 VVVV BECEsat < ), conduce la una mult mai simpl ntre rezistoare:

    CmB RR

    NOTA Pentru tranzistoatele bipolare tip BC107/171/177/251, ICM=100[mA] iar m50. n apropierea saturaiei (dinspre RAN) scade. 2. Formator de semnal dreptunghiular din semnal sinusoidal

    Figura 2.

    Generatorul furnizeaz ( ) tVtv gmg sin= , cu ][6 VVgm . n acest aplicaie RB trebuie proiectat astfel ncat s limiteze curentul IB n alternana pozitiv a lui vg(t). Tranzistoarele bipolare BC107 au IBmax6[mA] i VBEinv=5[V]. Rolul diodei de comutaie 1N4148 este acela de a se deschide n alterana negativ, limitnd astfel tensiunea invers baza-emitor a TB (la doar 0.6[V]).

  • 3

    ][9.0][6

    ][6.0][6

    max

    =

    KmA

    VVI

    VVR

    B

    BEgmB

    Rezistorul RC fixeaz valoarea dorita pentru ICsat la VCC fixat la 5[V]. Alegnd ICsat20[mA], rezult:

    ][220][20

    ][5.0][5

    =

    mAVV

    IVVR

    Csat

    CEsatCCC

    Studiu experimental - Se realizeaz circuitul cu valorile proiectate; - Se oscilografiaz simultan vI i vO. Se rein graficele acestor forme de und la

    valori ale frecvenei generatorului de 1[KHz], 1[MHz] i 10[MHz]. 3. Accelerarea comutaiei tranzistorului bipolar Se utilizeaz schema:

    Figura 3.

    Formatorul din figura de mai sus are RC2=10K pentru tranzistorul Q2, deci un curent de saturaie relativ mic. Se va observa influena condensatorului de accelerare Ca. Tensiunea (dreptunghiular) de la iesirea primului etaj formator, asigur saturarea puternic a lui Q2 deoarece:

    ][1050

    ][500

    ][5.0][10

    ][5

    22_

    2

    22

    uAuAII

    mAKV

    RVVI

    m

    CsatincBsat

    C

    CEsatCCCsat

    ==

    =

    =

    ,

    iar atunci cnd Q1 este blocat, curentul de baz al lui Q2 va fi:

    2_21

    22 ][10][400 incBsat

    BC

    BECCB IuAuARR

    VVI =>>+

    =

  • 4

    Studiu experimental - Se pstreaz, ca i la aplicaia anterioar, Vgm=6[V]; - Se determin frecvena maxim de funcionare corect ( vo(t) nc de form

    dreptunghiular) (a) far Ca; (b) cu Ca=10pF; (c) cu Ca=20pF; (d) cu Ca=100pF; 4. Astabil cu tranzistoare bipolare (generator de semnal dreptunghiular) Se va utiliza schema urmtoare:

    Figura 4. CBA cu TB

    Fr C1,C2 n circuit, proiectarea trebuie s asigure n cele mai dezavantajoase

    cazuri (variaie cu temperatura, mpratierea ) Q1 i Q2 saturate, condiie satisfcut atunci cnd CmB RR . Presupunnd K nchis un timp suficient de lung astfel nct vC1, vC2 s se stabilizeze:

    ==

    ==saturatQblocatQ

    VONK B1

    22 )1(0

    n aceasta situaie C1 se ncarc, cu polaritatea (+) armatura dreapta / (-) armatura

    stnga, la valoarea CCBEsatCCC VVVV =1 iar C2 se descarc 012 = CEsatC VV . Presupunem c la t=0 K se deschide => Q2 se satureaz ntr-un timp tON. n

    virtutea teoremei comutaiei, vC1 nu se modific brusc ( ( ) ( ) CCCC Vvv += 00 11 ) i, deoarece C1 are pe armatura dreapt VCEsat2 0, va aplica -VCC n baza lui Q1,

    blocndu-l.

    ==

    saturatQblocatQ

    2

    1)2( . Cu Q1 blocat, C2 se ncarc la VCC. Cnd C1 se va fi

    terminat de descrcat, Q1 se satureaz => C2 l va bloca pe Q2. De aici strile i vor succede n timp una alteia.

    Perioada semnalelor generate va fi: ( )122121 2ln BB RCRCttT +=+=

  • 5

    Studiu experimental - Se vor urmri formele de und ale tensiunilor de colector i baz pentru

    C=1[nF]/10[nF]/100[nF] ; se vor face corelaii cu procesele descrise mai sus; - Explicai de ce frontul pozitiv al tensiunilor de colector nu este abrupt; - Explicai de ce un scurtcircuit colector-emitor blocheaz oscilaiile pe cnd un

    scurtcircuit baz-emitor le amorseaz; Tema 3 1. Pentru circuitul din Figura 2, n care TB este de tipul BC107 iar D 1N4148,

    proiectai valorile RB, RC, VCC astfel nct circuitul s realizeze conversia de la semnalul vI(t)=0+12sin2103t la un semnal de ieire de form dreptunghiular, cu VH=9[V] i VL0[V], n condiiile unei puteri medii absorbite de la sursa de alimentare de 135[mW] i fr a pune n pericol integritatea jonciunii emitoare.

    2. Pentru circuitul din Figura 4, n care TB sunt de tipul BC107 iar C1=C2=10[pF],

    proiectai valorile RBi, RCi, VCC astfel nct circuitul sa genereze un semnal dreptunghiular, de frecven 7[KHz] i avnd VH=5[V] i VL0[V], n condiiile unei puteri medii absorbite de la sursa de alimentare de 60[mW].