Tehnici Spectroscopice de Caracterizare a Straturilor Subțiri

8/16/2019 Tehnici Spectroscopice de Caracterizare a Straturilor Subțiri

1/19

TEHNICISPECTROSCOPICE DE

CARACTERIZARE A

STRATURILOR SUB IRIȚ

Student:

Ciuraru Ioana Claudia

Constan a, 2!"ț

#etode de $ara$teri%are o&ti$' a straturilor su( iriț

1


2/19

Una dintre metodele de caracterizare a straturilor sub iri este cea optică, fie că vorbimț

despre absorb ie, reflexie sau transmisie. Fiecare dintre acestea poate fi folosită pentruț

caracterizarea straturilor sub iri, iar folosirea uneia sau a alteia dintre proceduri este îndreptă ităț ț

în func ie de grosimea stratului pe care trebuie să-l caracterizăm.ț

Pentru caracterizarea optică se folose te spectrofotometrul, cel mai utilizat, dar existăș

posibilitatea de a folosi i elipsometrul spectroscopic.ș

Există două tipuri de spectrofotometre cu o singură sursă de lumină i cu două surse deș

lumină. !n cazul celor din urmă, acestea practic compară intensitatea luminoasă provenind de la o

proba considerată referin ă i de la altă probă ce trebuie caracterizată. !nainte de a începeț ș

caracterizarea propriu-zisă este nevoie ca aparatul să fie etalonat, adică să i se spună care dintrecele două va fi referin ă. "1#ț

$an ul de măsură folosit la caracterizarea optică a straturilor sub iri este prezentat înț ț

figura %.

Figura I. Lan ul de măsură folosit la caracterizarea optică a straturilor sub iriț ț

&


3/19

'onta(ul experimental utilizat pentru caracterizarea optică a straturilor sub iri con ine treiț ț

elemente esen iale, i anume o sursă de lumină, un monocromator i un detector fotosensibilț ș ș

legat la un aparat de măsură i înregistrare. "1#ș

)ursa de lumină folosită trebuie aleasă astfel înc*t domeniul de lungimi de undă în care eaemite să se suprapună c*t mai bine cu domeniul de lungimi de undă în care absoarbe proba. !n

regiunile vizibil i infraro u apropiat, sursele de radia oe sunt lămpi cu incandescen ă, iar pentruș ș ț ț

măsurători în infraro u îndepărtat se folosesc stifturi +ernst, bare confec ionate din oxizi aiș ț

diverselor metale, sau stifturi lobar, bare din carbură de siliciu, încălzite la ro u cu a(utorulș

curentului electric bine stabilizat, iar pentru ultra-violet se folosesc lămpi cu descărcare în

idrogen, ripton, etc.

'onocromatorul selectează din spectrul de emisie al sursei de lumină un domeniu îngust

centrat pe o lungime de undă, /, care poate fi variată. 0aportul /2/ se nume te rezolu iaș ț

monocromatorului. !n fuc ie de rezolu ia dorită i de domeniul spectral cercetat se pot folosiț ț ș

prisme sau re ele de difrac ie pentru descompunerea spectrală a sursei. !n regiunea de ultra-violetț ț

îndepărtat sunt utilizate prisme de florură de calciu sau de litiu, în ultra-violet apropiat sunt

utilizate prisme de cuar , iar în vizibil sunt folosite prisme de sticlă. Prisma sau re eaua deț ț

difrac ie se pot roti, diferitele regiuni ale spectrului sursei a(ung*nd pe r*nd în dreptul fantei deț

ie ire, realiz*ndu-se astfel varia ia lungimii de undă a luminii la ie irea din monocromator.ș ț ș

3etectorul radia iei transmise de proba studiată poate fi un fotomultiplicator, oț

fotorezisten ă sau un fotoelement.ț

4aracterizarea optică a straturilor sub iri presupune efectuarea măsurătorilor de absorb ie,ț ț

reflexie sau transmisie. "

Re)le*ia - lumina este 5întoarsă6 de pe suprafa ă, i este asociată de obicei cu luciul7ț ș

Trans+isia - lumina traversează obiectivul, se înt*lne8te în cazul obiectelor mai mult saumai pu9in transparente 8i este asociată cu claritatea7

A(sor( iaț - lumina penetrează obiectivul, fenomen responsabil în mare măsură pentru

culoare7 ":#

:


4/19

• )pectrofotometrul U; prezentat în figura &, aflat în dotarea departamentului de fizică al Universita iiț ț

'ino, Portugalia."?#

Figura II: Spectrofotometru UV–Vis– NIR Simadzu !"#

Principiul de func ionare a unui spectrofotometru de tip U;-;%)-+%0 =ultraviolet-ț

vizibilinfraro u> este urmatorul Proba se fixează întrun suport special ata at fantei de la iesireaș ș

monocromatorului, a a înc*t lunima să cadă perpenticular pe strat. Fascicolul transmis cadeș

normal pe detectorul care este fixat rigid de suportul în care se fixează proba. !nainte de a trasaspectrul de reflexie sau de transmisie al probei analizate, se trasează mai înt*i curba de etalonare

=linia de zero> a întregului sistem folosind o placu a de %@A identică cu cele folosite ca suportț

pentru straturile depuse. 3upă trasarea curbei de etalonare a sistemului, se trece la trasarea

spectrului de reflexie i transmisie a probei prin înlocuirea placu ei de %@A cu probele, înș ț

domenul lungii de undă cuprins între &BC nm i DCC nm. "B#ș

%n general, exista doua clase mari de )pectrofotometre cu fascicul unic si cu fasciculdublu. Un spectrofotometru cufascicul dublu compara intensitatea luminii intre doua cai de

lumina, o cale care contine o mostra de referinta si alta cale care contine proba de testare. Un

spectrofotometru cu un singur fascicul masoara intensitatea relativa a fasciculului de

lumina inainte si dupa ce a fost introdusa o proba de test.

?


5/19

Utilizarea de spectrofotometre se intinde pe diferite domenii stiintifice, cum ar

fi fizica,stiinta materialelor, cimie, biocimie si biologie moleculara. Ele sunt utilizate pe scara

larga in multe industrii, inclusiv semiconductori, fabricatie laser si optica, de imprimare si

examinarea medico-legala, precum si in laboratoare pentru studiul de substante cimice. %n cele

din urma, un spectrofotometru este in masura sa determine, in functie de control saude

calibrare, ce substante sunt prezente într-o tinta si exact cat de mult prin calcule delungimi de

unda observate.

• Elipsometrul spectroscopic

Pentru determinarea grosimii straturilor subtiri în cadrul cercetarilor experimentale

se va folosi metoda elipsometrica, care este o metoda de investigatie optica nedistructiva. @ot

cu aceasta metoda se vor putea determina constantele optice ale straturilor depuse,

rugozitatea suprafetelor piesei sau interfetele straturilor. 'etoda elipsometrica s-a folosit

initial în industria microelectronicii si a nanotenologiilor bazate pe procese fotonice. 3atorita

vitezei de masurare relativ rapida si preciziei ridicate elipsometria este utilizata numai în

situatiile în care straturile sunt foarte subtiri si în cazul multistraturilor.

Utiliz*nd tenica de masurare cu a(utorul elipsometrului spectroscopic se poate realiza o

analiza e$%situ& analiza fac*ndu-se dupa procesul de depunere si in%situ& analiza straturilor

subtiri realiz*ndu-se în timpul procesului de depunere. 4ele mai bune evaluari elipsometrice

se fac pentru filmele subtiri, variind între 1 nanometru si 1CCC nanometri, dar metoda este

sensibila ciar si în cazul straturilor monoatomice.

Pot fi studiate straturi cu grosimi de p*na la maximum un micron.

Principiul de lucru al elipsometriei este masurarea scimbarilor de faza care apar în

polarizarea luminii monocromatice reflectate de un material. Fascicolul de lumina incident pe

suprafata piesei este linear polarizat, iar dupa reflexie devine eliptic polarizat. %nstrumentul de

B


6/19

lucru masoara forma si parametrii elipsei detectate dupa reflexie - de aici denumirea de

elipsometrie optica. "11, 1.

Figura III: Scema definitorie a parametrilor elipsometrici


7/19

! Re)le*ia i a(sor( ia lu+inii n straturile su(-iri. Considera-ii /eneraleș ț

4*nd un fascicul de lumină =monocromatică> trece printr-o substan9ă oarecare,

intensitatea se scade datorită reflexiei 8i absorb9iei în respectivul material. 0aportul dintre

energia reflectată la suprafa9a corpului 8i energia incidentă se notează cu R 8i se nume8te

coeficient de refle$ie. 3acăCF

este intensitatea luminii incidente iar0 F

a fasciculului reflectat,

atunci

C

0

F

F

0 =. 1.1.1

Pentru a găsi legea de absorb'ie a luminii se consideră un strat de grosime d $ pe care cade

un fascicul de lumină de intensitate ( =fig.1.1.>. Pe măsură ce străbate mediul, intensitatea

luminoasă scade, deci parcurgerea unei distan9e d $ va scădea cu d ( . Gceastă varia9ie =scădere> va

fi evident propor9ională cu grosimea d $, precum 8i cu intensitatea luminoasă în punctul $:

- d ( H I ( d $. 1.1.&

Fig.).).

4oeficientul de propor9ionalitate I se nume8te coeficient de absorb'ie 8i reprezintă

cantitatea de energie =luminoasă> absorbită într-un strat de grosime unitate, dintr-un fascicul

av*nd intensitatea egală cu unitatea.

J


8/19

∫ ∫ α−= d

C

F

Fdx

F

dF

C

, 1.1.:

de unde

d

oeFF α−

= . 1.1.?

3acă se 9ine seama de reflexie, în loc de* (

se va lua0 FF CC −

, adică

∫ ∫ α−=−d

C

F

>0 1=Fdx

F

dF

C

, 1.1.:, a

deci

d

C e>0 1=F>d=F α−−=

. 1.1.?, a3ependen9a coeficientului de reflexie de frecven9a luminii folosite, adică 0 =K>, sau

lungimea de undă, adică 0 =/>, se nume8te spectru de refle$ie. 3ependen9a I=K> sau I=/> a

coeficientului de absorb9ie se nume8te spectru de absorb'ie al materialului studiat. 3acă în strat

=material> există mai multe tipuri de centre de absorb9ie, întregul spectru de absorb9ie se

compune din suma spectrelor de absorb9ie ale diferitelor centre din substan9a considerată

i

ii

ii +>=>=>= ωσ=ωα=ωα ∑∑ , 1.1.B

i + fiind numărul de centre de naturi diferite, iar

>=i ωσ sec'iunea efecti+ă de absorb'ie a

centrelor de tip i "B#. !n semiconductori, de exemplu, există mai multe tipuri de absorb9ie optică

absorb'ia fundamentală =provocată de trecerea electronilor din zona de valen9ă în cea de

conduc9ie>, absorb'ia de impurită'i& absorb'ia e$citantă& absorb'ia de purtătorii liberi& absorb'ia

de +ibra'iile re'elei etc. Ele vor fi analizate în paragraful următor. Gbsorb9ia optică pe purtătorii

liberi etse caracteristică 8i straturilor metalice, de aceea va fi analizată în paragraful de fa9ă.

3in ecua9iile lui 'axLell se găse te ecua9ia de undă pentru vectorul c*mp electric "B#.ș

Ct

E

c

?

t

E

cE

&&

&

& =

∂∂πµσ

−∂∂εµ

−=∆

. 1.1.

D


9/19

Pentru vid =8i aer>, în absen9a sarcinilor =σ

H C, i H C>, solu9ia ecua9iilor lu 'axLell

reprezintă o undă plană "B#.

>c

xt=

CeE>t,x=E−

=

, 1.1.J

unde c H

&21

CC >= −µε

este viteza luminii în vid =aer>.

3acă unda luminoasă intră într-un mediu conductor, ea va interac9iona cu electronii liberi

=din zona de conduc9ie, respectiv 8i cu golurile din zona de valen9ă în cazul semiconductorilor>.

!n consecin9ă electronii vor fi accelera9i, energia lor cresc*nd pe seama energiei undei, iar prin

ciocnire cu re9eaua o vor ceda acesteia, deci în final energia luminoasă se regăse8te sub formă de

energie termică =a re9elei>. Unda electromagnetică în material este descrisă în electrodinamica

clasică de func9ia E H E=r,t> exprimată printr-o integrală Fourier după toate frecven9ele

posibile "#

ω= ω∞

∞−∫ de>t,r =E>t,r =E ti

, 1.1.D

de unde rezultă componenta Fourier E=r,K> a c*mpului

dte>t,r =E&

1>t,r =E ti∫

∞

∞−

ω−

π=

. 1.1.M

!nlocuind în ecua9ia 1.1. se găse8te că amplitudinea E=r,K> a undei monocromatice

satisface ecua9ia

C>,r =Ec

?i

c>,r =E

&&

&

=ω

πµσω−

εµω+ω∆

1.1.1C

sau

C>,r =E>i1=n

c

>,r =E &&&

&

=ω

χ−

ω+ω∆

1.1.11

în care s-a introdus nota9ia

&&

&

&

&&

&

>i1=ncc

?i

cχ−

ω=

πµσω−

µεω

1.1.1&

M


10/19

'ărimile necunoscute n 8i N, introduse, se pot determina ridic*nd la pătrat 8i identific*nd

păr9ile reale 8i imaginare, se ob9ine

11

1=&

n&&

&&

+εωσπ

+εµ

=

1.1.1:

−

εωσπ

+εµ

=χ= 11

1&

n &&

&&

1.1.1?

3acă O H C, rezultă.

H C 8i

&21>=n εµ=. 4oeficientul n se nume8te indice de refrac'ie, iar

. H nN indice de absorb'ie al substan9ei =se notează cu bară deasupra spre a nu se confunda cu

numărul de undă , >.

)olu9ia ecua9iei 1.1.11 are forma "J#

>,r =EeeEeE>,r =Er

c

nr

c

ni

C

r >i1=c

ni

C ω===ω ωχω

±ω

±

ω

χ−ω

±

ω

1.1.1B

%ntroduc*nd +ectorul de undă, , cu valoareac

&

ω

=λ

π

=, rela9ia 1.1.1B devine =păstr*nd numai

semnul minus>

>#r , =nt"i>r , =n

C eeE>t,r =E −ω−χ−

ωω = 1.1.1

3in 1.1.1 se vede că pe măsură ce unda monocromatică

ωE

înaintează în mediul de

conduc9ieC≠σ

, amplitudinea ei scade după legeac

r

e

ω−

. Gtunci intensitatea luminii, fiind

1C


11/19

propor9ională cu pătratul amplitudinii undei luminoase, adică cu

&E

, va scădea cu distan9a $,

străbătută prin mediu, după legea

xc

x&

& eePE α−ω

−=

1.1.1J

iar intensitatea luminoasă pe direc9ia axei ox va fi

x

C

xn&

C eFeF>x=F α−

ωχ−

ω == 1.1.1D

Prin urmare, din teoria lui 'axLell rezultă pentru coeficientul de absorb9ie optică I

expresia "D#

−

ωεσπ

+εµ

λπ

=λπ

=χλπ

=πχ=α 11

1&

?

?n? &

&&

&&

1.1.1M

4oeficientul I se poate măsura experimental. Gstfel, pentru a ob9ine11Bs1C −≅ω,

.)..4.u1CMcm1 1111 ⋅=⋅Ω=σ −−,

1C=ε 8i

1≈µ, se ob9ine

&:C

&:

&&

&&

1C&D,11C1C

1CD1C11 −⋅=⋅⋅⋅⋅

=ωεσπ

Q 1.

!n acest caz expresia de sub radicalul din paranteză, din 1.1.1M, se poate dezvolta în serie,

ob9in*ndu-se

11


12/19

εεµπσ

=ελω

εµσπ=

ωεσπ

⋅⋅εµ

λπ

=αc

?D1

&

1

&

? &

&&

&&

1.1.&C

3acă 8i în rela9ia 1.1.1: se dezvoltă în serie acela8i radical, negli(*ndu-se&&

&&1ωεσπ

fa9ă de

&, rezultă

εµ≅n 1.1.&1

Pentru frecven9ele spectrului vizibil1≅µ

8iε≅n

, deci I devine =din 1.1.&C>

+m

e

nc

?

nc

? &

∗

τπ=σ

π=α

, 1.1.&&

+ fiind concentra9ia de purtători liberi.

3in 1.1.&C se vede că, în cazul absorb9iei de către purtătorii liberi, coeficientul de

absorb9ie I este propor9ional cu + 8i cu valoarea medie a timpului de relaxare 8i invers

propor9ional cu masa efectivă a purtătorilor 8i cu indicele de refrac9ie. 4um indicele de refrac9iedepinde de lungimea de undă, rezultă că 8i I depinde de /, după cum se 8i constată din

măsurătorile în spectrele de absorb9ie.

+ota9ia 1.1.1& exprimă faptul că absorb9ia 8i reflexia optică pot fi descrise de ecua9iile

electrodinamicii clasice dacă locul indicelui n de refrac9ie se consideră un indice

>ix1=nn −=∗ 1.1.&:

numit indice de refrac'ie comple$, Prin analogie cuε≈n

, se introduce 8i o constantă

-permiti+itate dielectrică comple$ă.

1&


13/19

ωπσ

+ε=ε+ε=ε∗ ?

iRRRiR

1.1.&?

în careRε reprezintă permiti+itatea dielectrică comple$ă obi8nuită iar

RRε caracterizează indicele

de refrac9ie al materialului. 3in 1.1.1&, prin ridicare la pătrat 8i identificarea păr9ilor reale 8i

respectiv imaginare, se mai ob9ine

εµ=χ− >1=n && ,

ωπµσ

=χ &

n &

1.1.&B

sau, 9in*nd seama că

1≈µ

,

Rε≡ε

8i

n =χ

, rezultă

R n && ε=− ,

ωπσ

= ?

n &

1.1.&

3in a doua rela9ie 1.1.& 8i din 1.1.&? se ob9ine

χ==ε &n&n &RR 1.1.&J

)e vede căRRε este legat direct de indicele de refrac9ie

χ= n .

@ot în electrodinamica clasică se arată că la limita dintre două medii la inciden9ă normală,

între unda reflectată E 8i unda incidentăiE există rela9ia "M#

1n

1nr

E

E

i

r

+−

==∗

∗∗

1.1.&D

1:


14/19

∗r fiind coeficientul de refle$ie comple$. 0aportul

&i

&

r

E

E0

= 1.1.&M

se determină experimental. Sin*nd seama de 1.1.&D 8i de 1.1.&: T 1.1.&J, rela9ia 1.1.&M devine

&&

&&

&

i

&

r

. >1n=

. >1n=

E

E0

++

+−==

1.1.:C

unde HnN.

4oeficientul de reflexie complex se poate scrie 8i sub forma "M#

ϕ∗ = ie0 r 1.1.:1

ungiul de fază fiind dat de rela9ia

1 n &tg&& −+

=ϕ

1.1.:&

Pentru a determina constantele optice ale substan9ei studiate este necesar să se măsoare

absorb9ia 8i reflexia optică precum 8i coeficientul de transmisie a luminii prin probă. Proba

trebuie să fie suficient de sub9ire pentru a permite transmisia unei păr9i însemnate din fasciculul

incident, dar suficient de groasă spre a putea negli(a efectele de interferen9ă. 4oeficientul de

transmisie @, egal cu raportul dintre densitatea luminii incidente 8i cea a luminii transmise, estedat de "D, M#

d&

1&

d

&

1&

&

1&

o e0 e

sin0 ?>0 1=

F

F@

α−α −ϕ+−

==

1.1.::

1?


15/19

1&0

fiind coeficientul de reflexie la limita dintre vid =mediul 1> 8i proba de constante n 8i

=mediul &>, dat de formula 1.1.:C7 este ungiul de inciden9ă, dat de 1.1.:?, iar d grosimea

probei =stratului sub9ire>. !n ma(oritatea cazurilor

&

1& >0 1= − V

ϕ&sin, iar formula 1.1.:: devine

"M#

d&&

1&

d&

1&

e0 1

e>0 1=@ α−

α−

−−

=

1.1.:?

3e fapt în formula 1.1.?, a =d> este intensitatea luminii transmise@F

, pe c*nd

CC RF>0 1=F =− este intensitatea luminii incidente =9in*ndu-se seama de reflexie> atunci 1.1.:? se

scrie>0 1=F

F@

C

@

−=

1.1.:B

FactoruldeG α−= reprezintă absorb9ia în stratul de grosime d. 3in 1.1.? a 8i 1.1.:J se

vede că

1 < @ H G 1.1.:

0ela9iile precedente împreună cu rala9ia 1.1.1 conduc la expresia

>@e1=0 0 d1&α−+=

1.1.:J

3in cele de mai sus reiese că pentru aflarea lui n 8i.

este necesar să se măsoare fie @ 8i 0,

fie @ pentru două probe de grosimi diferite ".

1B


16/19

Pentru straturile sub9iri depuse pe un suport transparent =sticlă, cuar9 etc>, expresiile

coeficien9ilor de transmisie @ 8i de reflexie 0 devin mai complicate. Gv*nd în vedere noută9ile

din figura 1.& se ob9ine "1C#

1

&1

&

&

&

1

1

&1

&

&

&

1

>W4GW=&cosr r &r r 1

>W4GW=&cosr r &r r

0

λ+π

++

λ+π

++=

, 1.1.:D

1

&1

&

&

&

1

&

&

&

1

>W4GW=&cosr r &r r 1

tt@

λ

+π++

=

. 1.1.:M

Figura.)./

!n aceste expresii&1&1 t,t,r ,r sunt coeficien9ii de reflexie 8i respectiv de transmisie la

interfa9a superioară 8i respectiv inferioară a stratului =a8a-numi9ii coeficien'i Fresnel >, iar1λ este

lungimea de undă a luminii în strat.

1


17/19

3acă inciden9a este normală = H C> iar1n C ≅

"B#, atunci, 9in*nd seama de rela9ia 1.1.&D 8i

de faptul că

1

n

tnr

1

&&

=+

, rela9iile 1.1.?C 8i 1.1.?1 devin

1

1&

1

&

1

&

&&

&

1

&

1

&

&

&

1

1

1&

1

&

1

&

&

&

1&

&

1

&

&

&

1

?cos>1n>=nn=nn?>nn>=n1=


0

λ∆π

−−++++

λ∆π

−−+−++=

, 1.1.?&

1

1&

1

&

1

&

&

&

1&

&

&

&

1

&

1

&

&

1


nnD@

λ∆π

−−++++=

. 1.1.?:

!n figura 1.: sunt reprezentate dependen9ele

λ∆

=1

1f @

8i

λ∆

= 1f 0

pentru diferite straturi

sub9iri =cu1n diferi9i>. 'ărimea

&W4GW1 +=∆

reprezintă diferen9a de drum prin strat între

fasciculele =razele>1@ 8i

&@ =fig.1.:>.

3in figura 1.: se vede că dacă1∆ este egal cu un număr întreg de

&

λ

, reflectivitatea 8i

transmisia răm*n nescimbate pe întreaga suprafa9ă a sticlei =v.curba punctată pentru sticlă, n H

1,B>. 3acă însă se depun straturi cu grosimi de un sfert de lungime de undă cu un număr impar

?

λ

, atunci 0 8i @ se modifică profund =fig.1.:>. 3in figura 1.: se vede că pentru asemenea

1J


18/19

grosimi ale straturilor, cu&:,1n1 =

, reflecti+itatea devine egală cu zero, iar transmisia a(unge la

1CCX =punctele a, b,... fig.1.:>. Gcest fapt este deosebit de important pentru ob9inerea straturilor

perfect transparente sau semitransparente, a straturilor reflectante etc.

Figura ).0

Bi(lio/ra)ie

"1# %. )p*nulescu, Fizica straturilor sub'iri 1i aplica'iile acestora, Ed.)tiin9ifică,

Wucure8ti, 1MJB.

1D


19/19

" $.;. Pavlov, 2etode de măsurarea parametrilor materialelor semiconductoare,

'oscova, 1MDJ.

":# %.%. Uanov, 3ptical 4roperties of Semiconductors, )cience, 'oscoL, 1MJJ.

"?# ttp22LLL.simadzu.com2an2molecularYspectro2uv2uv-:CCplus.tml

"B# ttp22LLL.Liipedia.org

"# 3. 3. )andu, 5lectronică Fizică i aplica iiș ț , vol. %, Editura Universită ii, Gl. %. 4uza,ț

1MM?

"J# %. 3ima, %. 'unteanu, 2ateriale i dispoziti+e semiconductoareș , Editura 3idactică iș

Pedagogica, Wucure ti, 1MD1ș

"D# @omas, 'icael E, 3ptical 4ropagation in Linear 2edia: 6tmosperic 7ases and

4articles& Solid%State 8omponents& and 9ater , Axford UniversitZ Press, U)G

"M# . Panove, 3ptical 4rocesses in Semiconductors, Prentice-[all, 1MJ1

"1C# \emple ). [. 0efractive < Inde$ ea+iour of 6morpous Semiconductors and

7lasses, PZs. 0ev. W, 1MJ:

"11# '%[US, 3.'., 5llipsometric and finite element modeling of cromium tin films,

presented at G)' %nternational 'eeting, $incoln, +ebrasa, Gpril D]R, 1MMM

"1 '%[US, 3.'.7 ^%0^PG@0%4^, ).0.7 0A[3E, ).$., 5llipsometric 6nal;sis on

8r

Tehnici Spectroscopice de Caracterizare a Straturilor Subțiri

Documents

Transcript of Tehnici Spectroscopice de Caracterizare a Straturilor Subțiri