Subiecte Stiinta Materialelor

3
Propietatile electroizolante scad atunci cand: a) Materialul are structura amorfa; b) Creste temperatura; c) Materialul este hidrofob si compact; d) Materialul are impuritati; Raspunsurile corecte sunt: b si d; Metalele cu conductivitatea electrica cea mai buna(rezistivitatea electrica cea mai mica) sunt in aceasta ordine: a) Cu,Al,Ag,Sn; b) Ag,Cu,Pt,Al; c) Au,Ag,Cu,Al; d) Ag,Cu,Au,Al; Raspunsul corect este: c; Propietatea unui material metalic de a opune rezistenta la patrunderea in stratul sau superficial a unui penetrator se numeste: Raspuns corect: duritate; Aliajul a carei structura la ta(temperatura ambianta) este alcatuita din constituientii:perlita si cementita secundara este: a) Fonta alba hipoeutectica; b) Fonta alba eutectica; c) Otel carbon hipereutectoid; d) Otel carbon hipoeucteoid; Raspunsul corect este: c; Siliciul semiconductor se obtine prin: a) Topirea si purificarea termica a minereurilor; b) Purificarea si descompunerea unor compusi ai Si cu H si Cl; c) Electroliza Si tehnic obtinut in cuptoare prin reducerea SiO2- ului cu cox; d) Sinterizarea pulberii de Si natural;

description

sm upg

Transcript of Subiecte Stiinta Materialelor

Propietatile electroizolante scad atunci cand:a) Materialul are structura amorfa;

b) Creste temperatura;

c) Materialul este hidrofob si compact;

d) Materialul are impuritati;

Raspunsurile corecte sunt: b si d;

Metalele cu conductivitatea electrica cea mai buna(rezistivitatea electrica cea mai mica) sunt in aceasta ordine:

a) Cu,Al,Ag,Sn;

b) Ag,Cu,Pt,Al;

c) Au,Ag,Cu,Al;

d) Ag,Cu,Au,Al;

Raspunsul corect este: c;

Propietatea unui material metalic de a opune rezistenta la patrunderea in stratul sau superficial a unui penetrator se numeste:

Raspuns corect: duritate;

Aliajul a carei structura la ta(temperatura ambianta) este alcatuita din constituientii:perlita si cementita secundara este:a) Fonta alba hipoeutectica;

b) Fonta alba eutectica;

c) Otel carbon hipereutectoid;d) Otel carbon hipoeucteoid;

Raspunsul corect este: c;

Siliciul semiconductor se obtine prin:

a) Topirea si purificarea termica a minereurilor;

b) Purificarea si descompunerea unor compusi ai Si cu H si Cl;

c) Electroliza Si tehnic obtinut in cuptoare prin reducerea SiO2-ului cu cox;

d) Sinterizarea pulberii de Si natural;

Care din urmatoarele notatii desemneaza familia de plane cristalografice careia ii apartine si planul cu indicii: h=3;k=1;l=2;?a) {1 2 3}

b) {3 2 1}

c) [3 1 2(barat,adica -2)]

d)