3 Teste Tranzistorul Bipolar A5

19
Tranzistorul bipolar 1. Figura 1 prezintă simbolul unui Figura 1 a) tranzistor bipolar tip pnp; b) tranzistor bipolar tip npn; c) tranzistor cu efect de câmp cu canal n; d) tranzistor cu efect de câmp cu canal p; 2. Figura 2 prezintă simbolul unui Figura 2 a) tranzistor bipolar tip pnp; b) tranzistor bipolar tip npn; c) tranzistor cu efect de câmp cu canal n; d) tranzistor cu efect de câmp cu canal p; 3. Un tranzistor bipolar care lucrează în regiunea activă normală are: a) ambele joncţiuni polarizate direct; b) ambele joncţiuni polarizate invers; c) joncţinea bază-emitor polarizată direct şi joncţinea bază-colector polarizată invers; d) joncţinea bază-emitor polarizată invers şi joncţinea bază-colector polarizată direct. 4. Un tranzistor bipolar care lucrează în regiunea de saturaţie are: a) ambele joncţiuni polarizate direct; b) ambele joncţiuni polarizate invers;

description

d

Transcript of 3 Teste Tranzistorul Bipolar A5

Tranzistorul bipolar

1. Figura 1 prezintă simbolul unui

Figura 1a) tranzistor bipolar tip pnp;b) tranzistor bipolar tip npn;c) tranzistor cu efect de câmp cu canal n;d) tranzistor cu efect de câmp cu canal p;

2. Figura 2 prezintă simbolul unui

Figura 2a) tranzistor bipolar tip pnp;b) tranzistor bipolar tip npn;c) tranzistor cu efect de câmp cu canal n;d) tranzistor cu efect de câmp cu canal p;

3. Un tranzistor bipolar care lucrează în regiunea activă normală are:

a) ambele joncţiuni polarizate direct;b) ambele joncţiuni polarizate invers;c) joncţinea bază-emitor polarizată direct şi joncţinea bază-

colector polarizată invers;d) joncţinea bază-emitor polarizată invers şi joncţinea

bază-colector polarizată direct.

4. Un tranzistor bipolar care lucrează în regiunea de saturaţie are:

a) ambele joncţiuni polarizate direct;b) ambele joncţiuni polarizate invers;c) joncţinea bază-emitor polarizată direct şi joncţinea bază-

colector polarizată invers;d) joncţinea bază-emitor polarizată invers şi joncţinea

bază-colector polarizată direct.

5. Un tranzistor bipolar care lucrează în regiunea de blocare are:

a) ambele joncţiuni polarizate direct;b) ambele joncţiuni polarizate invers;

c) joncţinea bază-emitor polarizată direct şi joncţinea bază-colector polarizată invers;

d) joncţinea bază-emitor polarizată invers şi joncţinea bază-colector polarizată direct.

6. Ecuaţiile de mai jos reprezintă modelul matematic al unui tranzistor bipolar care lucrează:

iC=iC(vBE, vCE)iB=iB(vBE, vCE)

a) în regim dinamic de semnal mare;b) în regim cvasistatic de semnal mare;c) în regim dinamic de semnal mic;d) în regim cvasistatic de semnal mic.

7. Ecuaţiile de mai jos reprezintă modelul matematic al unui tranzistor bipolar care lucrează:

ce12be11c vgvgi

ce22be21b vgvgi a) în regim dinamic de semnal mare;b) în regim cvasistatic de semnal mare;c) în regim dinamic de semnal mic;d) în regim cvasistatic de semnal mic.

8. Ecuaţiile de mai jos reprezintă modelul matematic al unui tranzistor bipolar care lucrează:

dt

dvC

dt

dvCvgvgi ce

12be

11ce12be11c

dt

dvC

dt

dvCvgvgi ce

22be

21ce22be21b

a) în regim dinamic de semnal mare;b) în regim cvasistatic de semnal mare;c) în regim dinamic de semnal mic;d) în regim cvasistatic de semnal mic.

9. În conexiunea emitor comun:

a) semnalul de intrare se aplică între bază şi emitor iar semnalul de ieşire se culege între colector şi emitor;

b) semnalul de intrare se aplică între emitor şi bază iar semnalul de ieşire se culege între colector si baza;

c) semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar semnalul de ieşire se culege între emitor şi colector;

d) semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar

semnalul de ieşire se culege între colector şi masă.

10. În conexiunea colector comun:

a) semnalul de intrare se aplică între bază şi emitor iar semnalul de ieşire se culege între colector şi emitor;

b) semnalul de intrare se aplică între emitor şi bază iar semnalul de ieşire se culege între colector si baza;

c) semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar semnalul de ieşire se culege între emitor şi colector;

d) semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar semnalul de ieşire se culege între colector şi masă.

11. În conexiunea bază comună:

a) semnalul de intrare se aplică între bază şi emitor iar semnalul de ieşire se culege între colector şi emitor;

b) semnalul de intrare se aplică între emitor şi bază iar semnalul de ieşire se culege între colector si baza;

c) semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar semnalul de ieşire se culege între emitor şi colector;

d) semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar semnalul de ieşire se culege între colector şi masă.

12. La tranzistorul bipolar care lucrează în regim activ normal, relaţia dintre curentul de colector şi curentul de bază poate fi suficient de bine aproximată prin:

a)

b)

c)

d)

13. La trazistorulul bipolar care lucrează în regim saturat, relaţia dintre curentul de colector şi curentul de bază poate fi suficient de bine aproximată prin:

a)

b)

c)

d)

14. La trazistorul bipolar care lucrează în regim activ normal, relaţia dintre curentul de colector şi curentul de emitor poate fi suficient

de bine aproximată prin:a)

b)

c)

d)

15. Care sunt condiţiile corecte de polarizare pentru un tranzistor npn folosit ca simplu amplificator?

a) baza negativã faţã de emitor, colectorul negativ faţã de bazã;

b) baza pozitivã faţã de emitor, colectorul pozitiv faţã de bazã;

c) baza negativã faţã de emitor, colectorul pozitiv faţã de bazã;

d) baza pozitivã faţã de emitor, colectorul negativ faţã de bazã.

16. În regim de blocare a) tranzistorul bipolar se comportã ca un circuit întrerupt b) tranzistorul bipolar se comportã ca un scurt circuit c) ca un generator de curent comandat d) ca o rezistenţă comandată

17. În regim saturata) tranzistorul bipolar se comportã ca un circuit întrerupt b) tranzistorul bipolar se comportã ca un scurt circuit c) ca un generator de curent comandat d) ca o rezistenţă comandată

18. În regim activ normal

a) tranzistorul bipolar se comportã ca un circuit întrerupt b) tranzistorul bipolar se comportã ca un scurt circuit c) ca un generator de curent comandat d) ca o rezistenţă comandată

19. Figura 3 prezintã caracteristica staticã de ieşire a unui tranzistor bipolar.

Figura 3Regiunea activã normalã este notatã cu:

a) 1;b) 2;c) 3;d) nu este prezentatã.

20. Figura 3 prezintã caracteristica staticã de ieşire a unui tranzistor bipolar. Regiunea de saturaţie este notatã cu:

a) 1;b) 2;c) 3;d) nu este prezentatã.

21. Figura 3 prezintã caracteristica staticã de ieşire a unui tranzistor bipolar. Regiunea de blocare este notatã cu:

a) 1;b) 2;c) 3;d) nu este prezentatã.

22. În figura 4 este prezentată caracteristica de intrare a unui tranzistor bipolar

vBE

iB

vCE1

vCE2>vCE1

Figura 4Între curentul de bază si tensiunea bază emitor există o relaţie:

a) liniară;b) de tip 3/2; c) pătratică;d) exponenţială.

23. Figura 5 prezintă modelul unui tranzistor bipolar npn care lucrează:

Figura 5a) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea activă

normală b) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea de

saturaţie c) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea de

blocare d) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea activă

normală inversată

24. Figura 6 prezintă modelul unui tranzistor bipolar npn care lucrează:

Figura 6a) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea activă

normală b) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea de

saturaţie c) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea de

blocare d) în regim cvasistatic de semnal mare in regiunea activă

normală inversată

25. Figura 7 prezintă modelul unui tranzistor bipolar npn care lucrează:

iE

iCiB

BFi

B C

E

vBE

Figura 7a) in regim cvasistatic de semnal mare in regiunea activă

normală b) in regim cvasistatic de semnal mare in regiunea de

saturaţie c) in regim cvasistatic de semnal mare in regiunea de

blocare d) in regim cvasistatic de semnal mare in regiunea activă

normală inversată

26. Modelul matematic aproximativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucrează în saturaţie este:

a) 0iC . şi 0iB b) vBE=VBEsat şi vCE=VCEsat

c) vBE=const. şi iC=iEd) vBE=VBEsat şi vCE= const

27. Modelul matematic aproximativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucrează în regim activ normal este:

a) 0iC . şi 0iB b) vBE=VBEsat şi vCE=VCEsat

c) vBE=const. şi iC≈iEd) vBE=VBEsat şi vCE= const

28. Modelul matematic aproximativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucrează în regim de blocare este:

a) 0iC . şi 0iB b) vBE=VBEsat şi vCE=VCEsat

c) vBE=const. şi iC=iEd) vBE=VBEsat şi vCE= const

29. Modelul matematic aproximativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucrează în regim activ normal este:

a) 0iC . şi 0iB b) vBE=VBEsat şi vCE=VCEsat

c) vBE=const. şi BFC ii d) vBE=VBEsat şi vCE= const

30. Modelul matematic aproximativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucrează în regim activ normal este:

a) 0iC . şi 0iB b) vBE=VBEsat şi vCE=VCEsat

c)

T

BESC V

vexpIi . şi

T

BE

F

SB V

vexp

Ii

d) vBE=VBEsat şi vCE= const

31. Figura 8 prezintă una dintre schemele echivalente ale unui tranzistor bipolar npn

iE

iCiB

T

BES V

vexpI

B C

E

vBE F

SI

Figura 8a) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;b) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;c) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic;d) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic.

32. Figura de mai jos reprezintă una dintre schemele echivalente ale unui tranzistor bipolar npn

iE

iCiB

BFi

B C

E

vBE F

SI

Figura 9a) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;b) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;c) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic;d) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic.

33. Cum variaza vBE cu creşterea temperaturii (în domeniul normal de variaţie al temperaturii ambiante)?

a) aproximativ - 20 mV/oC;b) aproximativ - 2 mV/oC;c) aproximativ - 200 V/oC;d) aproximativ + 20 V/oC.

34. Figura 10 prezintă una dintre schemele echivalente ale unui tranzistor bipolar npn

Figura 10a) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;b) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;c) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic;d) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic.

35. Figura 11 prezintă una dintre schemele echivalente ale unui tranzistor bipolar npn

Figura 11a) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;b) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mare;c) comandat in curent care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic;d) comandat in tensiune care lucrează în regim cvasistatic

de semnal mic.

36. This problem treats the problem of the operating modes. For the circuit presented in figure 12, determine the operating mode for the transistor. Assume that the resistor has usual values.

Figure 12a) cut-off regionb) saturation regionc) active regiond) reverse active region

37. This problem treats the problem of the operating modes. For the circuit presented in figure 13, determine the operating mode for the transistor. Assume that the resistors have usual values.

Figure 13a) a) cut-off region

b) saturation regionc) active region

d) reverse active region

38. This problem treats the problem of the operating modes. For the circuit presented in figure 14, determine the operating mode for the transistor. Assume that the resistor has usual values

Figure 14a) a) cut-off region

b) saturation regionc) active regiond) reverse active region

39. This problem treats the problem of the operating modes. For the circuit presented in figure 15, determine the operating mode for the transistors. Assume that the resistors have usual values.

Figure 15a) a) cut-off region

b) saturation regionc) active regiond) reverse active region

40. This problem treats the problem of the operating modes. For the circuit presented in figure 16, determine the operating mode for the transistors. Assume that the resistors have usual values.

Figure 16a) a) cut-off region

b) saturation regionc) active regiond) reverse active region

41. This problem treats the problem of quiescent point. For the circuit presented in figure17, determine the quiescent point (IC

and VCE). Assume that and VBE=0.7V for the transistor. One considers that the current is measured in mA, the voltage in V and the resistance in K .

Figure 17a) a) IC=5.12 mA and VCE=14.66 V

b) IC=10.24 mA and VCE=7.43 Vc) IC=10.24 mA and VCE=1.466 Vd) IC=5.12 mA and VCE=19.88 V

42. This problem treats the problem of quiescent point. For the circuit presented in the figure 18, determine the quiescent point (IC and VCE). Assume that and VBE=0.7V for the transistor. One considers that the current is measured in mA, the voltage in V and the resistance in K .

Figure 18a) a) IC=4 mA and VCE=4.4 V

b) IC=2 mA and VCE=4.4 Vc) IC=4 mA and VCE=2.2 Vd) IC=2 mA and VCE=2.2 V

43. This problem treats the problem of quiescent point. For the circuit presented in figure 19, determine the quiescent point (IC

and VCE). Assume that and VBE=0.7V for the transistor. One considers that the current is measured in mA, the voltage in V and the resistance in K .

Figure 19a) a) IC=3.8 mA and VCE=2.6 V

b) IC=3.8 mA and VCE=5.2 Vc) IC=1.91mA and VCE=2.6 Vd) IC=1.91mA and VCE=5.2 V

44. This problem treats the problem of quiescent point. For the circuit presented in figure 20, determine the quiescent point (IC

and VCE). Assume that and VBE=0.7V for the transistor. One considers that the current is measured in mA, the voltage in V and the resistance in K .

RB1

(15K)

EC

(25V)

T

RL

(1K)

RE

(9.3K)RB2

(10K)(

Figure 20a) a) IC=2 mA and VCE=15 V

b) IC=2 mA and VCE=7.5 Vc) IC=1 mA and VCE=15 Vd) IC=1 mA and VCE=7.5 V

45. This problem treats the problem of quiescent point. For the circuit presented in figure 21, determine the quiescent point (IC

and VCE). Assume that and VBE=0.7V for the transistor. One considers that the current is measured in mA, the voltage in V and the resistance in K .

a) a) IC=0.91 mA and VCE=7.1 Vb) IC=0.91 mA and VCE=14.2 Vc) IC=1.8 mA and VCE=7.1 Vd) IC=1.8 mA and VCE=14.2 V

46. This problem treats the problem of quiescent point. For the circuit presented in figure 22, determine the quiescent point (IC

and VCE). Assume that and VBE=0.7V for the transistors. One considers that the current is measured in mA, the voltage in V and the resistance in K .

RL

(1K)

EC

(+15V)

T2T1

RE1

(3K)RE2

(1.5K)

EE

(-15V)

RC1

(11.3)K)

Figure 22a) IC1=2 mA and VCE1=13 V

IC2=2 mA and VCE2=13 Vb) IC1=2 mA and VCE1=15 V

IC2=2 mA and VCE2=26 V c) IC1=1 mA and VCE1=0.7 V

IC2=1 mA and VCE2=26 V d) IC1=1 mA and VCE1=0.7 V

IC2=2 mA and VCE2=20 V

Răspunsuri corecte

1. Răspuns corect b.) 24. Răspuns corect b.)

2. Răspuns corect a.) 25. Răspuns corect a.)

3. Răspuns corect c.) 26. Răspuns corect b.)

4. Răspuns corect a.) 27. Răspuns corect c.)

5. Răspuns corect b.) 28. Răspuns corect a.)

6. Răspuns corect b.) 29. Răspuns corect c.)

7. Răspuns corect d.) 30. Răspuns corect c.)

8. Răspuns corect c.) 31. Răspuns corect b.)

9. Răspuns corect a.) 32. Răspuns corect a.)

10. Răspuns corect c.) 33. Răspuns corect b.)

11. Răspuns corect b.) 34. Răspuns corect d.)

12. Răspuns corect a.) 35. Răspuns corect c.)

13. Răspuns corect c.) 36. Răspuns corect c.)

14. Răspuns corect b.) 37. Răspuns corect b.)

15. Răspuns corect b.) 38. Răspuns corect a.)

16. Răspuns corect a.) 39. Răspuns corect c.)

17. Răspuns corect b.) 40. Răspuns corect c.)

18. Răspuns corect c.) 41. Răspuns corect d.)

19. Răspuns corect b.) 42. Răspuns corect b.)

20. Răspuns corect a.) 43. Răspuns corect d.)

21. Răspuns corect c.) 44. Răspuns corect c.)

22. Răspuns corect d.) 45. Răspuns corect b.)

23. Răspuns corect c.) 46. Răspuns corect d.)