Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

25
FUNCTIONAREA,PARAMETRII,CARACTER ISTIC ILE SI FUNCTIILE T.B.

description

Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B. FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR. - PowerPoint PPT Presentation

Transcript of Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Page 1: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FUNCTIONAREAPARAMETRIICARACTERISTIC ILE SI FUNCTIILE TB

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Un tranzistor bipolar funcţionează corect dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decacirct tensiunea de prag iar joncţiunea bază-colector este polarizată invers cu o tensiune mult mai mare decacirct tensiunea bază-emitor

Emitorul este sursa de purtători care determină curentul prin tranzistor iar colectorul colectează purtătorii ajunşi aici Baza controlează curentul prin tranzistor icircn funcţie de valoarea tensiunii de polarizare a joncţiunii bază-emitor

Joncţiunea emitor-bază (polarizată direct) injectează un curent de emitor IE care este colectat icircn cea mai mare parte de joncţiunea colector-bază (polarizată invers) acest proces definind efectul de tranzistor

Tranzistorul bipolar transferă curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică icircn circuitul de ieşire de rezistenţă mare de unde denumirea TRANsfer reZISTOR hArr TRANZISTOR

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI NPN LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT ELECTRONII

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi Regiunea de tip p a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea electronilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI PNP LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT GOLURILE

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 2: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Un tranzistor bipolar funcţionează corect dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decacirct tensiunea de prag iar joncţiunea bază-colector este polarizată invers cu o tensiune mult mai mare decacirct tensiunea bază-emitor

Emitorul este sursa de purtători care determină curentul prin tranzistor iar colectorul colectează purtătorii ajunşi aici Baza controlează curentul prin tranzistor icircn funcţie de valoarea tensiunii de polarizare a joncţiunii bază-emitor

Joncţiunea emitor-bază (polarizată direct) injectează un curent de emitor IE care este colectat icircn cea mai mare parte de joncţiunea colector-bază (polarizată invers) acest proces definind efectul de tranzistor

Tranzistorul bipolar transferă curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică icircn circuitul de ieşire de rezistenţă mare de unde denumirea TRANsfer reZISTOR hArr TRANZISTOR

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI NPN LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT ELECTRONII

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi Regiunea de tip p a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea electronilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI PNP LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT GOLURILE

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 3: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Un tranzistor bipolar funcţionează corect dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decacirct tensiunea de prag iar joncţiunea bază-colector este polarizată invers cu o tensiune mult mai mare decacirct tensiunea bază-emitor

Emitorul este sursa de purtători care determină curentul prin tranzistor iar colectorul colectează purtătorii ajunşi aici Baza controlează curentul prin tranzistor icircn funcţie de valoarea tensiunii de polarizare a joncţiunii bază-emitor

Joncţiunea emitor-bază (polarizată direct) injectează un curent de emitor IE care este colectat icircn cea mai mare parte de joncţiunea colector-bază (polarizată invers) acest proces definind efectul de tranzistor

Tranzistorul bipolar transferă curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică icircn circuitul de ieşire de rezistenţă mare de unde denumirea TRANsfer reZISTOR hArr TRANZISTOR

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI NPN LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT ELECTRONII

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi Regiunea de tip p a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea electronilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI PNP LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT GOLURILE

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 4: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI NPN LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT ELECTRONII

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi Regiunea de tip p a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea electronilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI PNP LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT GOLURILE

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 5: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi Regiunea de tip p a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea electronilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI PNP LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT GOLURILE

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 6: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI PNP LA ACEST TIP DE TRANZISTOR PURTĂTORII MAJORITARI SUNT GOLURILE

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 7: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri Regiunea de tip n a bazei este foarte subţire şi slab dopată cu electroni Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază Prin polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului formacircndu-se astfel curentul de colector

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 8: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

PARAMETRII TRANZISTORULUI BIPOLAR

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 9: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FACTORUL DE AMPLIFICARE AL TRANZISTORULUI Factorul de amplificare icircn curent din bază icircn colector (βcc) ndash

reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

β este o mărime statică de curent continuu care indică de cacircte ori este mai mare curentul prin colectorul tranzistorului decacirct curentul prin baza tranzistorului Acest parametru mai poartă denumirea de cacircştig icircn curent al tranzistorului

Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător icircn foile de catalog ca parametru echivalent hibrid hFE

Valorile parametrului β sunt cuprinse icircntre 10 şi 1000 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Factorul de amplificare icircn curent din emitor icircn colector (αcc) ndash reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin emitor (IE)

Acest parametru este icircntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este icircntotdeauna mai mic decacirct curentul de emitor (IE)

Valorile paramentului α sunt cuprinse icircntre 095 şi 099 icircn funcţie de tipul tranzistorului

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 10: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Valorile maxime absolute Sunt valori care nu trebuie depăşite icircn

timpul funcţionării tranzistorului deoarece pot produce defectarea acestuia De regulă icircn această grupă apar

Tensiunile maxime icircntre terminale VCBO VCEO VEBO

Curentul maxim de colector şi de bază ICM IBM

Puterea maximă disipată Ptot Temperatura maximă a joncţiunii TjM (este

cuprinsă icircntre 175degC şi 200degC) Icircn practică se recomandă icircncărcarea

tranzistorului la cel mult 075 din valorile de catalog ale acestor parametrii

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 11: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

B1 CARACTERISTICILE ELECTRICE

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 12: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Caracteristicile statice Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă

dependenţa dintre curenţii ce trec prin terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale Fiecare schemă de conectare a unui tranzistor se caracterizează prin patru familii de caracteristici

IIEŞ = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de ieşire

UINT = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de intrare

IIEŞ = f (IINT) la UIEŞ = constant ndash caracteristici de transfer a curentului

UINT = f (UIEŞ) la IINT = constant ndash caracteristici de reacţie inversă după tensiune

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 13: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar icircn conexiunea EC

Icircn cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire deoarece aceste caracteristici sunt mai importante Pe caracteristica de ieşire se pot delimita regiunile de funcţionare a tranzistorului şi se poate trasa dreapta de sarcină

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 14: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Icircn regiunea de blocare tranzistorul funcţionează icircn regim de blocare (tăiere)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai mică decacirct tensiunea de prag)

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curenţii prin tranzistor sunt foarte mici practic IC=0

tensiunea de ieşire are valoare mare practic VCE = VCC

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 15: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Icircn regiunea de saturaţie tranzistorul funcţionează icircn regim de saturaţie

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct joncţiunea bază ndash colector este polarizată direct curentul prin colector atinge o valoare

apropiată de valoarea maximă posibilă 10516231051623105162310516231051623105162310516231051623 şi nu mai este proporţional cu curentul de comandă din bază (creşterea curentului din bază nu influenţează curentul din colector)

tensiunea de saturaţie este forte mică VCE(sat) = 02 ndash 03 V

tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 16: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Icircn regiunea activă normală tranzistorul funcţionează icircn regim activ normal (RAN)

joncţiunea bază ndash emitor este polarizată direct

joncţiunea bază ndash colector este polarizată invers

curentul prin tranzistor este mare IC = βmiddotIB tensiunea de ieşire (VCE) este mică tranzistorul se comportă ca un amplificator

de semnal

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 17: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Pe graficul caracteristicii de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (VCC) cu punctul de saturaţie (IC(sat)) se obţine dreapta de sarcină icircn curent continuu De-a lungul dreptei de sarcină icircntre cele două puncte se află regiunea activă normală de funcţionare a tranzistorului La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF)

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 18: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FUNCŢIA DE AMPLIFICARE Cacircnd tranzistorul este polarizat astfel

icircncacirct să lucreze icircn regiunea activă acesta poate amplifica atacirct un semnal de formă continuă cacirct şi un semnal de formă alternativă

Icircn circuitul de curent continuu tranzistorul amplifică curentul din bază

Icircn circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplifică tensiunea alternativă din bază

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 19: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

FUNCŢIA DE COMUTARE Tranzistorul bipolar cacircnd lucrează icircn

regim de comutaţie trece alternativ din starea de blocare icircn starea de saturaţie

Icircn starea de blocare cacircnd joncţiunea bază-emitor nu este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător deschis şi prin el nu circulă current

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 20: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.

Icircn starea de saturaţie cacircnd joncţiunea bază-emitor este polarizată direct tranzistorul se comportă ca un icircntrerupător icircnchis şi prin el circulă un current

Valoarea minimă a curentului de bază pentru a aduce tranzistorul icircn saturaţie este

  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25
Page 21: Functionarea,parametrii,caracteristic ile si functiile T.B.
  • Functionareaparametriicaracteristic ile si functiile TB
  • FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
  • Slide 3
  • Funcţionarea tranzistorului NPN La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 5
  • Funcţionarea tranzistorului PNP La acest tip de tranzistor pu
  • Slide 7
  • Parametrii tranzistorului bipolar
  • Factorul de amplificare al tranzistorului
  • Slide 10
  • Caracteristicile tranzistorului bipolar b1 Caracteristicile
  • Slide 12
  • Slide 13
  • Slide 14
  • Slide 15
  • Slide 16
  • Slide 17
  • Slide 18
  • Slide 19
  • Slide 20
  • Slide 21
  • Slide 22
  • Slide 23
  • Slide 24
  • Slide 25