Dida semiconductoare p-nElemente de electronic analogic - teste

Capitolul 1

Dioda semiconductoare p-n

1.

1pFigura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu p a fost notat:

Figura 1.1

a) concentraia de atomi acceptori;

b) concentraia de atomi donori;

c) concentraia de electroni;

d) concentraia de goluri.

2.

1pFigura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu n a fost notat:

a) concentraia de atomi acceptori;

b) concentraia de atomi donori;

c) concentraia de electroni;

d) concentraia de goluri.

3.

1pFigura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu NA a fost notat:

a) concentraia de atomi acceptori;

b) concentraia de atomi donori;

c) concentraia de electroni;

d) concentraia de goluri.

4.

1pFigura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu ND a fost notat:

a) concentraia de atomi acceptori;

b) concentraia de atomi donori;

c) concentraia de electroni;

d) concentraia de goluri.

5.1pFigura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fost notat:

Figura 1.2

a.) anod;

b.) catod;

c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;

d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

6.

1pFigura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost notat:

a.) anod;

b.) catod;

c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;

d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

7.

1pFigura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu vA a fost notat:

a.) anod;

b.) catod;

c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;

d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

8.

1pFigura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu iA a fost notat:

a.) anod;

b.) catod;

c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;

d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

9. 3pPrin efect de diod se nelege:

a.) n funcionare normal practic - curentul prin diod circul numai de la catod spre anod;b.) n funcionare normal practic - curentul prin diod circul numai de la anod spre catod;

c.) n funcionare normal practic sensul curentului prin diod este dictat de circuitul exterior diodei;

d.) n funcionare normal practic - curentul prin diod circul uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;

10.1pFigura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 1 reprezint

Figura 1.3

a.) regiunea neutr p;b.) regiunea neutr n;

c.) regiunea de tranziie;

d.) nu are o semnificaie deosebit.

11.

1pFigura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 2 reprezint

a.) regiunea neutr p;

b.) regiunea neutr n;

c.) regiunea de tranziie;

d.) nu are o semnificaie deosebit.

12.

1pFigura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 3 reprezint

a.) regiunea neutr p;

b.) regiunea neutr n;

c.) regiunea de tranziie;

d.) nu are o semnificaie deosebit.

14.

2pFigura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul jonciunii metalurgice ca efect al:

Figura 1.4

a.) difuziei purttorilor fixi;b.) sarcinii purttorilor mobili;

c.) sarcinii purttorilor fixi;

d.) difuziei purttorilor mobili.

15.3pFigura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul jonciunii metalurgice ca efect al difuziei purttorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de:

a.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori dintre regiunea neutr p i regiunea de tranziie;b.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori dintre regiunea neutr n i regiunea de tranziie;c.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori dintre regiunea neutr n i regiunea neutr n;d.) gradientul de concentraie a atomilor donori i acceptori din jurul jonciunii metalurgice.

16.

3pFigura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul jonciunii metalurgice ca efect al difuziei purttorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de gradientul de concentraie existent n jurul jonciunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen n structur apar sarcini fixe reprezentate de:

a.) ionii prini n reeaua cristalin;b.) electronii din structur;

c.) golurile din structur;

d.) structura reelei cristaline

17. 2pCmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziie este datorat:

a.) ionilor prini n reeaua cristalin;

b.) electronilor din structur;

c.) golurilor din structur;

d.) structurii reelei cristaline.

18.2pLa polarizare invers plus (+) pe catod i minus (-) pe anod bariera intern de potenial este:

a.) crescut;b.) cobort;

c.) neafectat;

d.) uneori crescut, uneori cobort.

19.2pLa polarizare direct plus (+) pe anod i minus (-) pe catod bariera intern de potenial este:

a.) crescut;

b.) cobort;

c.) neafectat;

d.) uneori crescut, uneori cobort.

20.2pDin punct de vedere formal, dioda este integral descris de:

a.) singur ecuaie caracteristic;b.) un sistem de dou ecuaii caracteristice;

c.) un numr de ecuaii care depinde de topologia circuitului;

d.) un numr de ecuaii care depinde de regimul de funcionare

21.3pDin punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mare dioda este integral descris de o ecuaie de tipul:

a.)

b.)

c.)

d.)

22.

3pDin punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mic dioda este integral descris de o ecuaie de tipul:

a.)

b.)

c.)

d.)

23.2pEcuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a diodei ideale este

a.)

b.)

c.)

d.)

24.2pEcuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a diodei ideale este:

unde:

i poart numele de tensiune termic. S-au folosit notaiile:

kconstanta lui Boltzman;

qsarcina electronului;

Ttemperatura absolut.La temperatura ambiant eT are valoarea:

a.) eT(2.5 mVb.) eT(25 mV

c.) eT(250 mV

d.) eT(2.5 V

25.1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.

Figura 1.5

IS reprezint:

a) curentul mediu redresat monoalternan;

b) curentul maxim admisibil;

c) curentul rezidual;

d) curentul mediu redresat dubl alternan.

26.

1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.

V reprezint:

a) tensiunea de strpungere;b) tensiunea de prag;

c) tensiunea medie redresat monoalternan;

d) tensiunea medie redresat dubl alternan

27.

1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.

VBR reprezint:

a) tensiunea de strpungere;

b) tensiunea de prag;

c) tensiunea medie redresat monoalternan;

d) tensiunea medie redresat dubl alternan

28.

1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 1 a fost notat regiunea de:

a) strpungere;b) blocare la polarizare invers;

c) blocare la polarizare direct;

d) conducie

29.

1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 2 a fost notat regiunea de:

a) strpungere;

b) blocare la polarizare invers;

c) blocare la polarizare direct;

d) conducie

30.

1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 3 a fost notat regiunea de:

a) strpungere;

b) blocare la polarizare invers;

c) blocare la polarizare direct;

d) conducie

31.

1pFigura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 4 a fost notat regiunea de:

a) strpungere;

b) blocare la polarizare invers;

c) blocare la polarizare direct;

d) conducie

32.2pFigura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i poart numele de model de ordin zero.

Figura 1.6

Conform acestei aproximri schema echivalent a diodei este:

a.)

b.)

c.)

d.)

33.

2pFigura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i poart numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximri n regim de conducie dioda se comport ca:

a) un rezistor;

b) un circuit ntrerupt;

c) un scurtcircuit;

d) un condensator

34.

2pFigura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i poart numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximri n regim de blocare dioda se comport ca:

a) un rezistor;

b) un circuit ntrerupt;

c) un scurtcircuit;

d) un condensator

35.3pMultiplicarea n avalan are loc la:

a) tensiuni mari i este specific jonciunilor slab dopate.b) tensiuni mici i este specific jonciunilor puternic dopate.

c) tensiuni mari i este specific jonciunilor slab dopate.

d) tensiuni mici i este specific jonciunilor puternic dopate.

36.

3pEfectul "tunel" are loc:

a) tensiuni mari i este specific jonciunilor slab dopate.

b) tensiuni mici i este specific jonciunilor puternic dopate.

c) tensiuni mari i este specific jonciunilor slab dopate.

d) tensiuni mici i este specific jonciunilor puternic dopate.

37.2pFigura 1.7 prezint caracteristica static a unei diode stabilizatoare.

Figura 1.7

Pentru a putea realiza funcia de stabilizare a tensiunii o asemenea diod trebuie s lucreze n regim de:

a) strpungere;

b) blocare la polarizare invers;

c) blocare la polarizare direct;

d) conducie

38.

2pFigura 1.7 prezint caracteristica static a unei diode stabilizatoare. Pentru a putea realiza funcia de stabilizare a tensiunii trebuie s satisfac condiia:

a)

b)

c)

d)

39.

2pn situaii reale exist anumite limitri pentru a evita distrugerea unei diode redresoare. Cele mai uzuale limitri sunt:

a) IFM (curentul direct maxim admisibil) i VBR (tensiunea de strpungere);

b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diod) i VZ (tensiunea nominal de stabilizare)

c) IFM (curentul direct maxim admisibil) i VZ (tensiunea nominal de stabilizare)

d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diod) i IFM (curentul direct maxim admisibil)

40.

2pn situaii reale exist anumite limitri pentru a evita distrugerea unei diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitri sunt:

a) IFM (curentul direct maxim admisibil) i VBR (tensiunea de strpungere);

b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diod) i VZ (tensiunea nominal de stabilizare)

c) IFM (curentul direct maxim admisibil) i VZ (tensiunea nominal de stabilizare)

d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diod) i IFM (curentul direct maxim admisibil)

41.4pValoarea curentului IA care circul prin dioda din figura este aproximativ:

Figura 1.8

a)

b)

c)

d)

42.4pCderea de tensiune pe dioda prezent n circuitul din figura 1.8 este aproximativ:

a)

b)

c)

d)

43.3pCondiia de semnal mic pentru o diod semiconductoare este ndeplinit dac:

a) semnalul pe diod este mai mic de 2.5 mVb) semnalul pe diod este mai mic de 10 mV

c) semnalul pe diod este mai mic de 25 mV

d) semnalul pe diod este mai mic de 100 mV

44.3pConductana de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

a)

b)

c)

d)

45.3pModelul matematic al unei diode semiconductoare care lucreaz n regim cvasistatic de semnal mic este:

a)

b)

c)

d)

46.3pSchema echivalent a unei diode semiconductoare care lucreaz n regim cvasistatic de semnal mic este:

a.)

b.)

c.)

d.)

Rspunsuri

1.Rspuns corect: d.)24.Rspuns corect b.)

2.Rspuns corect: c.)25.Rspuns corect c.)

3.Rspuns corect: a.)26.Rspuns corect b.)

4.Rspuns corect: b.)27.Rspuns corect a.)

5.Rspuns corect a.)28.Rspuns corect a.)

6.Rspuns corect b.)29.Rspuns corect b.)

7.Rspuns corect c.)30.Rspuns corect c.)

8.Rspuns corect d.)31.Rspuns corect d.)

9.Rspuns corect b.)32.Rspuns corect d.)

10.Rspuns corect a.)33.Rspuns corect c.)

11.Rspuns corect c.)34.Rspuns corect c.)

12.Rspuns corect b.)35.Rspuns corect a.)

14.Rspuns corect d.)36.Rspuns corect d.)

15.Rspuns corect d.)37.Rspuns corect a.)

16.Rspuns corect a.)38.Rspuns corect b.)

17.Rspuns corect a.)39.Rspuns corect a.)

18.Rspuns corect a.)40.Rspuns corect b.)

19.Rspuns corect b.)41.Rspuns corect c.)

20.Rspuns corect a.)42.Rspuns corect b.)

21.Rspuns corect b.)43.Rspuns corect b.)

22.Rspuns corect c.)44.Rspuns corect d.)

23.Rspuns corect b.)45.Rspuns corect a.)

24.Rspuns corect b.)46.Rspuns corect b.)

1

45

_1202394801.unknown

_1204386362.unknown

_1204386418.unknown

_1204386546.unknown

_1210427096.doc

C

Ca

A

ga

_1210427278.doc

C

A

_1210427365.doc

C

A

_1210427175.doc

C

A

ga

_1204386547.unknown

_1204386427.unknown

_1204386385.unknown

_1204386399.unknown

_1204386375.unknown

_1202396403.unknown

_1202397228.unknown

_1202397263.unknown

_1202397273.unknown

_1202397501.unknown

_1202397247.unknown

_1202396656.unknown

_1202396667.unknown

_1202396624.unknown

_1202396383.unknown

_1202396392.unknown

_1202396374.unknown

_1202396351.unknown

_1202383698.doc

vA

iA

VBR

2.

V(

1.

4.

IS

3.

_1202385365.doc

AC

conducie

C

blocare

A C

A C

_1202394724.unknown

_1202394778.unknown

_1202394361.doc

vZ

iZ

VZ

IZM

IZm

_1202385157.doc

AC

conducie

C

V(

blocare

A C

A C

_1202385250.doc

AC

conducie

C

blocare

A C

A C

_1202384816.doc

AC

conducie

C

V(

blocare

A C

A C

rB

_1155683784.doc

EMBED Equation.3

A

C

Joniune metalurgic

EMBED Equation.3

_981829911.unknown

_981829938.unknown

_1202294831.doc

p

n

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

E

1.

3.

2.

_1202301534.unknown

_1201097356.unknown

_1200834832.doc

VA

IA

R1(1k) (1k)

D

IR

I

(2mA)

E

(10V)

R2(1k) (1k)

_1110898793.doc

p

n

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

E

Regiune neutra p

Regiune neutr n

Regiune de tranziie

_1110961576.doc

vA

iA

Model de ordin zero

Caracteristica real

_1111228794.unknown

_1110898794.doc

iA

vA

A

C

_1110898790.unknown

_1110898789.unknown